IXTH1N170DHV
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| Numero parte | IXTH1N170DHV |
| PNEDA Part # | IXTH1N170DHV |
| Descrizione | MOSFET N-CH |
| Produttore | IXYS |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 6.534 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | nov 27 - dic 2 (Scegli Spedizione rapida) |
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IXTH1N170DHV Risorse
| Brand | IXYS |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | IXTH1N170DHV |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Singolo |
| Datasheet |
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IXTH1N170DHV Specifiche
| Produttore | IXYS |
| Serie | - |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Tensione Drain to Source (Vdss) | 1700V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 1A (Tj) |
| Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) | 0V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 16Ohm @ 500mA, 0V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4.5V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 47nC @ 5V |
| Vgs (massimo) | ±20V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 3090pF @ 25V |
| Funzione FET | Depletion Mode |
| Dissipazione di potenza (max) | 290W (Tc) |
| Temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Through Hole |
| Pacchetto dispositivo fornitore | TO-247HV |
| Pacchetto / Custodia | TO-247-3 Variant |
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