IXTF2N300P3
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| Numero parte | IXTF2N300P3 |
| PNEDA Part # | IXTF2N300P3 |
| Descrizione | MOSFET N-CH |
| Produttore | IXYS |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 7.380 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | apr 5 - apr 10 (Scegli Spedizione rapida) |
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IXTF2N300P3 Risorse
| Brand | IXYS |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | IXTF2N300P3 |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Singolo |
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IXTF2N300P3 Specifiche
| Produttore | IXYS |
| Serie | Polar™ |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Tensione Drain to Source (Vdss) | 3000V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 1.6A (Tc) |
| Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 21Ohm @ 1A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 73nC @ 10V |
| Vgs (massimo) | ±20V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1890pF @ 25V |
| Funzione FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 160W (Tc) |
| Temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Through Hole |
| Pacchetto dispositivo fornitore | ISOPLUS i4-PAC™ |
| Pacchetto / Custodia | ISOPLUSi5-Pak™ |
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