IXTD2N60P-1J
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| Numero parte | IXTD2N60P-1J |
| PNEDA Part # | IXTD2N60P-1J |
| Descrizione | MOSFET N-CH 600 |
| Produttore | IXYS |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 2.574 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | apr 2 - apr 7 (Scegli Spedizione rapida) |
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IXTD2N60P-1J Risorse
| Brand | IXYS |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | IXTD2N60P-1J |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Singolo |
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IXTD2N60P-1J Specifiche
| Produttore | IXYS |
| Serie | PolarHV™ |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Tensione Drain to Source (Vdss) | 600V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 2A (Tc) |
| Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5.1Ohm @ 1A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 7nC @ 10V |
| Vgs (massimo) | ±30V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 240pF @ 25V |
| Funzione FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 56W (Tc) |
| Temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | Die |
| Pacchetto / Custodia | Die |
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