IXKR25N80C
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| Numero parte | IXKR25N80C |
| PNEDA Part # | IXKR25N80C |
| Descrizione | MOSFET N-CH 800V 25A ISOPLUS247 |
| Produttore | IXYS |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 8.460 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | nov 21 - nov 26 (Scegli Spedizione rapida) |
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IXKR25N80C Risorse
| Brand | IXYS |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | IXKR25N80C |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Singolo |
| Datasheet |
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IXKR25N80C Specifiche
| Produttore | IXYS |
| Serie | CoolMOS™ |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Tensione Drain to Source (Vdss) | 800V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 25A (Tc) |
| Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 150mOhm @ 18A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 2mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 355nC @ 10V |
| Vgs (massimo) | ±20V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | - |
| Funzione FET | Super Junction |
| Dissipazione di potenza (max) | - |
| Temperatura di esercizio | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Through Hole |
| Pacchetto dispositivo fornitore | ISOPLUS247™ |
| Pacchetto / Custodia | ISOPLUS247™ |
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