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IXGX50N60BD1

IXGX50N60BD1

Solo per riferimento

Numero parte IXGX50N60BD1
PNEDA Part # IXGX50N60BD1
Descrizione IGBT 600V 75A 300W TO247
Produttore IXYS
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 8.262
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata apr 20 - apr 25 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

IXGX50N60BD1 Risorse

Brand IXYS
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteIXGX50N60BD1
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - IGBT - Singolo
Datasheet
IXGX50N60BD1, IXGX50N60BD1 Datasheet (Totale pagine: 5, Dimensioni: 120,19 KB)
PDFIXGK50N60BD1 Datasheet Copertura
IXGK50N60BD1 Datasheet Pagina 2 IXGK50N60BD1 Datasheet Pagina 3 IXGK50N60BD1 Datasheet Pagina 4 IXGK50N60BD1 Datasheet Pagina 5

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IXGX50N60BD1 Specifiche

ProduttoreIXYS
SerieHiPerFAST™
Tipo IGBT-
Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)600V
Corrente - Collettore (Ic) (Max)75A
Corrente - Collettore Pulsato (Icm)200A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic2.3V @ 15V, 50A
Potenza - Max300W
Switching Energy1.5mJ (off)
Tipo di ingressoStandard
Gate Charge110nC
Td (acceso / spento) @ 25 ° C50ns/200ns
Condizione di test480V, 50A, 2.7Ohm, 15V
Tempo di recupero inverso (trr)50ns
Temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioThrough Hole
Pacchetto / CustodiaTO-247-3
Pacchetto dispositivo fornitorePLUS247™-3

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Produttore

Rohm Semiconductor

Serie

-

Tipo IGBT

Trench Field Stop

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

650V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

95A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

200A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.9V @ 15V, 50A

Potenza - Max

276W

Switching Energy

1.17mJ (on), 940µJ (off)

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

104nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

41ns/142ns

Condizione di test

400V, 50A, 10Ohm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-247-3

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-247N

Produttore

IXYS

Serie

-

Tipo IGBT

-

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

1200V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

40A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

100A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

3.4V @ 15V, 20A

Potenza - Max

190W

Switching Energy

2.1mJ (off)

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

62nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

20ns/270ns

Condizione di test

960V, 20A, 10Ohm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr)

40ns

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-3P-3, SC-65-3

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-3P

FGH40T65SQD-F155

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo IGBT

Trench Field Stop

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

650V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

80A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

160A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 40A

Potenza - Max

238W

Switching Energy

138µJ (on), 52µJ (off)

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

80nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

16.4ns/86.4ns

Condizione di test

400V, 10A, 6Ohm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr)

31.8ns

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-247-3

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-247-3

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Microsemi

Produttore

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Serie

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Tipo IGBT

PT

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

1200V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

113A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

170A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

3.9V @ 15V, 45A

Potenza - Max

625W

Switching Energy

900µJ (on), 905µJ (off)

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

185nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

18ns/100ns

Condizione di test

600V, 45A, 5Ohm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

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Pacchetto dispositivo fornitore

-

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