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IXGT32N120A3

IXGT32N120A3

Solo per riferimento

Numero parte IXGT32N120A3
PNEDA Part # IXGT32N120A3
Descrizione IGBT 1200V 75A 300W TO268
Produttore IXYS
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 6.192
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata mag 6 - mag 11 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

IXGT32N120A3 Risorse

Brand IXYS
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteIXGT32N120A3
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - IGBT - Singolo
Datasheet
IXGT32N120A3, IXGT32N120A3 Datasheet (Totale pagine: 6, Dimensioni: 196,71 KB)
PDFIXGH32N120A3 Datasheet Copertura
IXGH32N120A3 Datasheet Pagina 2 IXGH32N120A3 Datasheet Pagina 3 IXGH32N120A3 Datasheet Pagina 4 IXGH32N120A3 Datasheet Pagina 5 IXGH32N120A3 Datasheet Pagina 6

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IXGT32N120A3 Specifiche

ProduttoreIXYS
SerieGenX3™
Tipo IGBTPT
Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)1200V
Corrente - Collettore (Ic) (Max)75A
Corrente - Collettore Pulsato (Icm)230A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic2.35V @ 15V, 32A
Potenza - Max300W
Switching Energy-
Tipo di ingressoStandard
Gate Charge89nC
Td (acceso / spento) @ 25 ° C-
Condizione di test-
Tempo di recupero inverso (trr)-
Temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / CustodiaTO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Pacchetto dispositivo fornitoreTO-268

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Produttore

STMicroelectronics

Serie

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Tipo IGBT

-

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

600V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

14A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

18A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.9V @ 15V, 3A

Potenza - Max

56W

Switching Energy

32µJ (on), 24µJ (off)

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

12nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

6.7ns/46ns

Condizione di test

390V, 3A, 10Ohm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr)

23ns

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Pacchetto dispositivo fornitore

D2PAK

GPA040A120MN-FD

Global Power Technologies Group

Produttore

Global Power Technologies Group

Serie

-

Tipo IGBT

Trench Field Stop

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

1200V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

80A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

120A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.6V @ 15V, 40A

Potenza - Max

480W

Switching Energy

5.3mJ (on), 1.1mJ (off)

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

480nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

55ns/200ns

Condizione di test

600V, 40A, 5Ohm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr)

200ns

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-3

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-3PN

Produttore

IXYS

Serie

GenX3™

Tipo IGBT

PT

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

1200V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

125A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

400A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.3V @ 15V, 55A

Potenza - Max

460W

Switching Energy

5.1mJ (on), 13.3mJ (off)

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

185nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

23ns/365ns

Condizione di test

960V, 55A, 3Ohm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr)

200ns

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-264-3, TO-264AA

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-264 (IXGK)

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Produttore

Infineon Technologies

Serie

-

Tipo IGBT

-

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

-

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

-

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

-

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

-

Potenza - Max

-

Switching Energy

-

Tipo di ingresso

Logic

Gate Charge

-

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

-

Condizione di test

-

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

36-DIP Module, 24 Leads

Pacchetto dispositivo fornitore

DIP 36x23D

Produttore

IXYS

Serie

GenX3™

Tipo IGBT

PT

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

1200V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

36A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

80A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

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Potenza - Max

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Condizione di test

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