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IXGT30N60B2D1

IXGT30N60B2D1

Solo per riferimento

Numero parte IXGT30N60B2D1
PNEDA Part # IXGT30N60B2D1
Descrizione IGBT 600V 70A 190W TO268
Produttore IXYS
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 4.770
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata apr 15 - apr 20 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

IXGT30N60B2D1 Risorse

Brand IXYS
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteIXGT30N60B2D1
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - IGBT - Singolo
Datasheet
IXGT30N60B2D1, IXGT30N60B2D1 Datasheet (Totale pagine: 6, Dimensioni: 504,01 KB)
PDFIXGT30N60B2D1 Datasheet Copertura
IXGT30N60B2D1 Datasheet Pagina 2 IXGT30N60B2D1 Datasheet Pagina 3 IXGT30N60B2D1 Datasheet Pagina 4 IXGT30N60B2D1 Datasheet Pagina 5 IXGT30N60B2D1 Datasheet Pagina 6

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IXGT30N60B2D1 Specifiche

ProduttoreIXYS
SerieHiPerFAST™
Tipo IGBTPT
Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)600V
Corrente - Collettore (Ic) (Max)70A
Corrente - Collettore Pulsato (Icm)150A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic1.8V @ 15V, 24A
Potenza - Max190W
Switching Energy320µJ (off)
Tipo di ingressoStandard
Gate Charge66nC
Td (acceso / spento) @ 25 ° C13ns/110ns
Condizione di test400V, 24A, 5Ohm, 15V
Tempo di recupero inverso (trr)25ns
Temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / CustodiaTO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Pacchetto dispositivo fornitoreTO-268

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Produttore

Infineon Technologies

Serie

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Tipo IGBT

-

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

650V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

80A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

120A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.7V @ 15V, 40A

Potenza - Max

230W

Switching Energy

630µJ (on), 140µJ (off)

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

193nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

30ns/258ns

Condizione di test

400V, 20A, 10Ohm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr)

90ns

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

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Pacchetto dispositivo fornitore

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AOK40B65M3

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Produttore

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Serie

Alpha IGBT™

Tipo IGBT

-

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

650V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

80A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

120A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.45V @ 15V, 40A

Potenza - Max

300W

Switching Energy

1.3mJ (on), 500µJ (off)

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

59nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

40ns/125ns

Condizione di test

400V, 40A, 7.5Ohm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr)

365ns

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-247-3

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-247

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IXYS

Produttore

IXYS

Serie

-

Tipo IGBT

NPT

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

600V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

60A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

70A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.7V @ 15V, 35A

Potenza - Max

250W

Switching Energy

1.6mJ (on), 800µJ (off)

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

120nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

-

Condizione di test

300V, 35A, 10Ohm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

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Pacchetto dispositivo fornitore

TO-220AB

IGP30N65H5XKSA1

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Produttore

Infineon Technologies

Serie

TrenchStop™

Tipo IGBT

Trench

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

650V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

55A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

90A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 30A

Potenza - Max

188W

Switching Energy

280µJ (on), 100µJ (off)

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

70nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

19ns/177ns

Condizione di test

400V, 15A, 23Ohm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

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Td (acceso / spento) @ 25 ° C

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Tempo di recupero inverso (trr)

-

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

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