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IXGR50N90B2D1

IXGR50N90B2D1

Solo per riferimento

Numero parte IXGR50N90B2D1
PNEDA Part # IXGR50N90B2D1
Descrizione IGBT 900V 40A 100W ISOPLUS247
Produttore IXYS
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 3.870
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata dic 21 - dic 26 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

IXGR50N90B2D1 Risorse

Brand IXYS
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteIXGR50N90B2D1
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - IGBT - Singolo
Datasheet
IXGR50N90B2D1, IXGR50N90B2D1 Datasheet (Totale pagine: 6, Dimensioni: 217,18 KB)
PDFIXGR50N90B2D1 Datasheet Copertura
IXGR50N90B2D1 Datasheet Pagina 2 IXGR50N90B2D1 Datasheet Pagina 3 IXGR50N90B2D1 Datasheet Pagina 4 IXGR50N90B2D1 Datasheet Pagina 5 IXGR50N90B2D1 Datasheet Pagina 6

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IXGR50N90B2D1 Specifiche

ProduttoreIXYS
SerieHiPerFAST™
Tipo IGBTNPT
Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)900V
Corrente - Collettore (Ic) (Max)40A
Corrente - Collettore Pulsato (Icm)200A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic2.9V @ 15V, 50A
Potenza - Max100W
Switching Energy4.7mJ (off)
Tipo di ingressoStandard
Gate Charge135nC
Td (acceso / spento) @ 25 ° C20ns/350ns
Condizione di test720V, 50A, 5Ohm, 15V
Tempo di recupero inverso (trr)200ns
Temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioThrough Hole
Pacchetto / CustodiaISOPLUS247™
Pacchetto dispositivo fornitoreISOPLUS247™

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Produttore

Infineon Technologies

Serie

-

Tipo IGBT

NPT

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

1200V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

12A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

24A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

3V @ 15V, 6A

Potenza - Max

89W

Switching Energy

390µJ (on), 330µJ (off)

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

25nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

22ns/100ns

Condizione di test

600V, 6A, 50Ohm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr)

160ns

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-220-3

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-220AB

STGFW30V60F

STMicroelectronics

Produttore

STMicroelectronics

Serie

-

Tipo IGBT

Trench Field Stop

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

600V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

60A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

120A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.3V @ 15V, 30A

Potenza - Max

58W

Switching Energy

383µJ (on), 233µJ (off)

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

163nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

45ns/189ns

Condizione di test

400V, 30A, 10Ohm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-3P-3 Full Pack

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-3PF

RGTH00TS65DGC11

Rohm Semiconductor

Produttore

Rohm Semiconductor

Serie

-

Tipo IGBT

Trench Field Stop

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

650V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

85A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

200A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 50A

Potenza - Max

277W

Switching Energy

-

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

94nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

39ns/143ns

Condizione di test

400V, 50A, 10Ohm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr)

54ns

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-247-3

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-247N

HGTP10N120BN

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Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo IGBT

NPT

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

1200V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

35A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

80A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.7V @ 15V, 10A

Potenza - Max

298W

Switching Energy

320µJ (on), 800µJ (off)

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

100nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

23ns/165ns

Condizione di test

960V, 10A, 10Ohm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-220-3

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-220-3

Produttore

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Tipo IGBT

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Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

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