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IXGN40N60CD1

IXGN40N60CD1

Solo per riferimento

Numero parte IXGN40N60CD1
PNEDA Part # IXGN40N60CD1
Descrizione IGBT 600V SOT-227B
Produttore IXYS
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 7.776
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata dic 25 - dic 30 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

IXGN40N60CD1 Risorse

Brand IXYS
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteIXGN40N60CD1
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - IGBT - Moduli

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IXGN40N60CD1 Specifiche

ProduttoreIXYS
Serie-
Tipo IGBT-
ConfigurazioneSingle
Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)600V
Corrente - Collettore (Ic) (Max)-
Potenza - Max-
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic-
Corrente - Taglio collettore (Max)-
Capacità di ingresso (Cies) @ Vce-
InputStandard
Termistore NTCNo
Temperatura di esercizio-
Tipo di montaggioChassis Mount
Pacchetto / CustodiaSOT-227-4, miniBLOC
Pacchetto dispositivo fornitoreSOT-227B

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Produttore

Global Power Technologies Group

Serie

-

Tipo IGBT

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Configurazione

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Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

600V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

120A

Potenza - Max

312W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.3V @ 15V, 60A

Corrente - Taglio collettore (Max)

1mA

Capacità di ingresso (Cies) @ Vce

3.3nF @ 30V

Input

Standard

Termistore NTC

No

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

SOT-227-4, miniBLOC

Pacchetto dispositivo fornitore

SOT-227

FP100R06KE3_B16

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

*

Tipo IGBT

-

Configurazione

-

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

-

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

-

Potenza - Max

-

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

-

Corrente - Taglio collettore (Max)

-

Capacità di ingresso (Cies) @ Vce

-

Input

-

Termistore NTC

-

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

-

Pacchetto / Custodia

-

Pacchetto dispositivo fornitore

-

VS-GB300TH120U

Vishay Semiconductor Diodes Division

Produttore

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

-

Tipo IGBT

-

Configurazione

Half Bridge

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

1200V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

530A

Potenza - Max

2119W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

3.6V @ 15V, 300A

Corrente - Taglio collettore (Max)

5mA

Capacità di ingresso (Cies) @ Vce

25.3nF @ 30V

Input

Standard

Termistore NTC

No

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

Double INT-A-PAK (3 + 4)

Pacchetto dispositivo fornitore

Double INT-A-PAK

APTGF250SK60D3G

Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

-

Tipo IGBT

NPT

Configurazione

Single

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

600V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

400A

Potenza - Max

1250W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.45V @ 15V, 300A

Corrente - Taglio collettore (Max)

500µA

Capacità di ingresso (Cies) @ Vce

13nF @ 25V

Input

Standard

Termistore NTC

No

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

D-3 Module

Pacchetto dispositivo fornitore

D3

FF800R12KL4CNOSA1

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

*

Tipo IGBT

-

Configurazione

-

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

-

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

-

Potenza - Max

-

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

-

Corrente - Taglio collettore (Max)

-

Capacità di ingresso (Cies) @ Vce

-

Input

-

Termistore NTC

-

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

-

Pacchetto / Custodia

-

Pacchetto dispositivo fornitore

-

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