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IXGH6N170

IXGH6N170

Solo per riferimento

Numero parte IXGH6N170
PNEDA Part # IXGH6N170
Descrizione IGBT 1700V 12A 75W TO247
Produttore IXYS
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 7.236
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata nov 17 - nov 22 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

IXGH6N170 Risorse

Brand IXYS
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteIXGH6N170
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - IGBT - Singolo
Datasheet
IXGH6N170, IXGH6N170 Datasheet (Totale pagine: 4, Dimensioni: 171,88 KB)
PDFIXGH6N170 Datasheet Copertura
IXGH6N170 Datasheet Pagina 2 IXGH6N170 Datasheet Pagina 3 IXGH6N170 Datasheet Pagina 4

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IXGH6N170 Specifiche

ProduttoreIXYS
Serie-
Tipo IGBTNPT
Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)1700V
Corrente - Collettore (Ic) (Max)12A
Corrente - Collettore Pulsato (Icm)24A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic4V @ 15V, 6A
Potenza - Max75W
Switching Energy1.5mJ (off)
Tipo di ingressoStandard
Gate Charge20nC
Td (acceso / spento) @ 25 ° C40ns/250ns
Condizione di test1360V, 6A, 33Ohm, 15V
Tempo di recupero inverso (trr)-
Temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioThrough Hole
Pacchetto / CustodiaTO-247-3
Pacchetto dispositivo fornitoreTO-247AD (IXGH)

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Produttore

STMicroelectronics

Serie

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Tipo IGBT

-

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

600V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

60A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

150A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.5V @ 15V, 20A

Potenza - Max

200W

Switching Energy

305µJ (on), 181µJ (off)

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

102nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

29.5ns/118ns

Condizione di test

390V, 20A, 10Ohm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Pacchetto dispositivo fornitore

D2PAK

IRG4BC20UDSTRLP

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

-

Tipo IGBT

-

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

600V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

13A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

52A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 6.5A

Potenza - Max

60W

Switching Energy

160µJ (on), 130µJ (off)

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

27nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

39ns/93ns

Condizione di test

480V, 6.5A, 50Ohm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr)

37ns

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Pacchetto dispositivo fornitore

D2PAK

IRG4PH20KD

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

-

Tipo IGBT

-

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

1200V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

11A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

22A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

4.3V @ 15V, 5A

Potenza - Max

60W

Switching Energy

620µJ (on), 300µJ (off)

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

28nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

50ns/100ns

Condizione di test

800V, 5A, 50Ohm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr)

51ns

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-247-3

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-247AC

IXBK75N170

IXYS

Produttore

IXYS

Serie

BIMOSFET™

Tipo IGBT

-

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

1700V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

200A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

580A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

3.1V @ 15V, 75A

Potenza - Max

1040W

Switching Energy

-

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

350nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

-

Condizione di test

-

Tempo di recupero inverso (trr)

1.5µs

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

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Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

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