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IXGH56N60B3D1

IXGH56N60B3D1

Solo per riferimento

Numero parte IXGH56N60B3D1
PNEDA Part # IXGH56N60B3D1
Descrizione IGBT 600V 330W TO247
Produttore IXYS
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 5.904
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata apr 16 - apr 21 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

IXGH56N60B3D1 Risorse

Brand IXYS
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteIXGH56N60B3D1
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - IGBT - Singolo
Datasheet
IXGH56N60B3D1, IXGH56N60B3D1 Datasheet (Totale pagine: 7, Dimensioni: 230,02 KB)
PDFIXGH56N60B3D1 Datasheet Copertura
IXGH56N60B3D1 Datasheet Pagina 2 IXGH56N60B3D1 Datasheet Pagina 3 IXGH56N60B3D1 Datasheet Pagina 4 IXGH56N60B3D1 Datasheet Pagina 5 IXGH56N60B3D1 Datasheet Pagina 6 IXGH56N60B3D1 Datasheet Pagina 7

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IXGH56N60B3D1 Specifiche

ProduttoreIXYS
SerieGenX3™
Tipo IGBTPT
Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)600V
Corrente - Collettore (Ic) (Max)-
Corrente - Collettore Pulsato (Icm)350A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic1.8V @ 15V, 44A
Potenza - Max330W
Switching Energy1.3mJ (on), 1.05mJ (off)
Tipo di ingressoStandard
Gate Charge138nC
Td (acceso / spento) @ 25 ° C26ns/155ns
Condizione di test480V, 44A, 5Ohm, 15V
Tempo di recupero inverso (trr)100ns
Temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioThrough Hole
Pacchetto / CustodiaTO-247-3
Pacchetto dispositivo fornitoreTO-247AD (IXGH)

I prodotti a cui potresti essere interessato

Produttore

IXYS

Serie

BIMOSFET™

Tipo IGBT

NPT

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

3000V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

38A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

120A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.7V @ 15V, 14A

Potenza - Max

200W

Switching Energy

-

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

62nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

40ns/166ns

Condizione di test

960V, 14A, 20Ohm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr)

1.4µs

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-263

FGA20S120M

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo IGBT

Trench Field Stop

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

1200V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

40A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

60A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.85V @ 15V, 20A

Potenza - Max

348W

Switching Energy

-

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

208nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

-

Condizione di test

-

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-3P-3, SC-65-3

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-3P

Produttore

IXYS

Serie

-

Tipo IGBT

NPT

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

1700V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

16A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

40A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

5V @ 15V, 11A

Potenza - Max

190W

Switching Energy

900µJ (off)

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

65nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

36ns/160ns

Condizione di test

850V, 16A, 10Ohm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr)

230ns

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-268

NGTG50N60FWG

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo IGBT

Trench

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

600V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

100A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

200A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.7V @ 15V, 50A

Potenza - Max

223W

Switching Energy

1.1mJ (on), 1.2mJ (off)

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

310nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

117ns/285ns

Condizione di test

400V, 50A, 10Ohm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-247-3

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-247

IRGC14C40LD

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

-

Tipo IGBT

-

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

430V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

14A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

-

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.65V @ 4.5V, 10A

Potenza - Max

-

Switching Energy

-

Tipo di ingresso

Logic

Gate Charge

-

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

-

Condizione di test

-

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

Die

Pacchetto dispositivo fornitore

Die

Venduto di recente

TAJD107K020RNJ

TAJD107K020RNJ

CAP TANT 100UF 10% 20V 2917

ECS-327SMO-TR

ECS-327SMO-TR

ECS

XTAL OSC XO 32.7680KHZ CMOS SMD

MTP50P03HDLG

MTP50P03HDLG

ON Semiconductor

MOSFET P-CH 30V 50A TO220AB

ADG1404YRUZ

ADG1404YRUZ

Analog Devices

IC MULTIPLEXER 4X1 14TSSOP

LH1511BAB

LH1511BAB

Vishay Semiconductor Opto Division

SSR RELAY SPST-NC 200MA 0-200V

MMBD7000-7-F

MMBD7000-7-F

Diodes Incorporated

DIODE ARRAY GP 75V 300MA SOT23-3

MAX3237EAI+T

MAX3237EAI+T

Maxim Integrated

IC TRANSCEIVER FULL 5/3 28SSOP

AT21CS01-STUM10-T

AT21CS01-STUM10-T

Microchip Technology

IC EEPROM 1K I2C 125KHZ SOT23

FSA5157L6X

FSA5157L6X

ON Semiconductor

IC SWITCH SPDT 6MICROPAK

VMMK-1218-TR1G

VMMK-1218-TR1G

Broadcom

FET RF 5V 10GHZ 0402

SISS27DN-T1-GE3

SISS27DN-T1-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET P-CH 30V 50A PPAK 1212-8S

W25Q64JVSFIQ

W25Q64JVSFIQ

Winbond Electronics

IC FLASH 64M SPI 133MHZ 16SOIC