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IXGH32N60BD1

IXGH32N60BD1

Solo per riferimento

Numero parte IXGH32N60BD1
PNEDA Part # IXGH32N60BD1
Descrizione IGBT 600V 60A 200W TO247AD
Produttore IXYS
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 4.896
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata mag 6 - mag 11 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

IXGH32N60BD1 Risorse

Brand IXYS
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteIXGH32N60BD1
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - IGBT - Singolo
Datasheet
IXGH32N60BD1, IXGH32N60BD1 Datasheet (Totale pagine: 5, Dimensioni: 127,24 KB)
PDFIXGT32N60BD1 Datasheet Copertura
IXGT32N60BD1 Datasheet Pagina 2 IXGT32N60BD1 Datasheet Pagina 3 IXGT32N60BD1 Datasheet Pagina 4 IXGT32N60BD1 Datasheet Pagina 5

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IXGH32N60BD1 Specifiche

ProduttoreIXYS
SerieHiPerFAST™
Tipo IGBT-
Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)600V
Corrente - Collettore (Ic) (Max)60A
Corrente - Collettore Pulsato (Icm)120A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic2.3V @ 15V, 32A
Potenza - Max200W
Switching Energy600µJ (off)
Tipo di ingressoStandard
Gate Charge110nC
Td (acceso / spento) @ 25 ° C25ns/100ns
Condizione di test480V, 32A, 4.7Ohm, 15V
Tempo di recupero inverso (trr)25ns
Temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioThrough Hole
Pacchetto / CustodiaTO-247-3
Pacchetto dispositivo fornitoreTO-247AD (IXGH)

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Produttore

Infineon Technologies

Serie

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Tipo IGBT

Trench

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

650V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

-

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

150A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 50A

Potenza - Max

270W

Switching Energy

490µJ (on), 140µJ (off)

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

1018nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

21ns/156ns

Condizione di test

400V, 25A, 12Ohm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-247-3

Pacchetto dispositivo fornitore

PG-TO247-3-41

RJP60F4DPM-00#T1

Renesas Electronics America

Produttore

Renesas Electronics America

Serie

-

Tipo IGBT

Trench

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

600V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

60A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

-

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.82V @ 15V, 30A

Potenza - Max

41.2W

Switching Energy

-

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

-

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

45ns/70ns

Condizione di test

400V, 30A, 5Ohm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

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Pacchetto dispositivo fornitore

TO-3PFM

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Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

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Tipo IGBT

NPT, Trench Field Stop

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

1200V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

40A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

60A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.75V @ 15V, 20A

Potenza - Max

330W

Switching Energy

1.2mJ (off)

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

143nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

-/359ns

Condizione di test

600V, 20A, 15Ohm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-247-3

Pacchetto dispositivo fornitore

PG-TO247-3

RJP65T43DPQ-A0#T2

Renesas Electronics America

Produttore

Renesas Electronics America

Serie

-

Tipo IGBT

Trench

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

650V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

60A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

-

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.4V @ 15V, 20A

Potenza - Max

150W

Switching Energy

170µJ (on), 130µJ (off)

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

69nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

35ns/105ns

Condizione di test

400V, 20A, 10Ohm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Temperatura di esercizio

175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-247-3

Pacchetto dispositivo fornitore

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Produttore

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Serie

-

Tipo IGBT

Trench Field Stop

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

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Corrente - Collettore (Ic) (Max)

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