IXFQ140N20X3
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| Numero parte | IXFQ140N20X3 |
| PNEDA Part # | IXFQ140N20X3 |
| Descrizione | 200V/140A ULTRA JUNCTION X3-CLAS |
| Produttore | IXYS |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 6.132 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | apr 25 - apr 30 (Scegli Spedizione rapida) |
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IXFQ140N20X3 Risorse
| Brand | IXYS |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | IXFQ140N20X3 |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Singolo |
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IXFQ140N20X3 Specifiche
| Produttore | IXYS |
| Serie | HiPerFET™ |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Tensione Drain to Source (Vdss) | 200V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 140A (Tc) |
| Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 9.6mOhm @ 70A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4.5V @ 4mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 127nC @ 10V |
| Vgs (massimo) | ±20V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 7660pF @ 25V |
| Funzione FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 520W (Tc) |
| Temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Through Hole |
| Pacchetto dispositivo fornitore | TO-3P |
| Pacchetto / Custodia | TO-3P-3, SC-65-3 |
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Produttore ON Semiconductor Serie - Tipo FET P-Channel Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss) 100V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 700mA (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) 4V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.7Ohm @ 700mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2.6V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 3.7nC @ 10V Vgs (massimo) ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 142pF @ 20V Funzione FET - Dissipazione di potenza (max) 1W (Ta) Temperatura di esercizio 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore 3-CPH Pacchetto / Custodia TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
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Produttore Alpha & Omega Semiconductor Inc. Serie - Tipo FET P-Channel Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss) 8V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 3.5A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) 1.2V, 2.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs 28mOhm @ 1.5A, 2.5V Vgs (th) (Max) @ Id 650mV @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 27nC @ 4.5V Vgs (massimo) ±5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1935pF @ 4V Funzione FET - Dissipazione di potenza (max) 550mW (Ta) Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore 4-AlphaDFN (1.57x1.57) Pacchetto / Custodia 4-SMD, No Lead |
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