IXFN50N80Q2
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| Numero parte | IXFN50N80Q2 | ||||||||||||||||||
| PNEDA Part # | IXFN50N80Q2 | ||||||||||||||||||
| Descrizione | MOSFET N-CH 800V 50A SOT-227B | ||||||||||||||||||
| Produttore | IXYS | ||||||||||||||||||
| Prezzo unitario |
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| Disponibile | 14 | ||||||||||||||||||
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR | ||||||||||||||||||
| Consegna stimata | dic 20 - dic 25 (Scegli Spedizione rapida) | ||||||||||||||||||
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IXFN50N80Q2 Risorse
| Brand | IXYS |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | IXFN50N80Q2 |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Singolo |
| Datasheet |
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IXFN50N80Q2 Specifiche
| Produttore | IXYS |
| Serie | HiPerFET™ |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Tensione Drain to Source (Vdss) | 800V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 50A (Tc) |
| Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 160mOhm @ 500mA, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 5.5V @ 8mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 260nC @ 10V |
| Vgs (massimo) | ±30V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 13500pF @ 25V |
| Funzione FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 1135W (Tc) |
| Temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Chassis Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | SOT-227B |
| Pacchetto / Custodia | SOT-227-4, miniBLOC |
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