IXFN40N90P
Solo per riferimento
Numero parte | IXFN40N90P |
PNEDA Part # | IXFN40N90P |
Descrizione | MOSFET N-CH 900V 33A SOT227 |
Produttore | IXYS |
Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
Disponibile | 6.642 |
Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
Consegna stimata | nov 17 - nov 22 (Scegli Spedizione rapida) |
Guarantee | Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] * |
Free shipping on orders over $100. PNEDA is willing to provide you with better services.
|
|
|
IXFN40N90P Risorse
Brand | IXYS |
ECAD Module | |
Mfr. Numero di parte | IXFN40N90P |
Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Singolo |
Datasheet |
Payment Method
- Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
- If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
- Some orders may require a minimum amount of $100.00.
- Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.
Logistics Mode
- Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
- Delivery date: usually 2 to 7 working days.
- It is unable to appoint a date of delivery.
- Tracking number will be sent once your order has been shipped.
- It may take up to 24 hours before carriers display the info.
Notes
- Please confirm the specifications of the products when ordering.
- If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
- Registered users can log in to the account to view the order status.
- You can email us to change the order details before shipment.
- Orders cannot be canceled after shipping the packages.
In PNEDA, ci sforziamo di essere il leader del settore fornendo rapidamente e in modo affidabile componenti elettronici di alta qualità ai nostri clienti.
Il nostro approccio si basa sul dimostrare ai nostri clienti tre vantaggi chiave:
Pronta reattività
Il nostro team risponde rapidamente alle tue richieste e si mette immediatamente al lavoro per trovare le tue parti.
Qualità garantita
I nostri processi di controllo della qualità proteggono dalle contraffazioni garantendo affidabilità e prestazioni.
Accesso globale
La nostra rete mondiale di risorse affidabili ci consente di trovare e fornire le parti specifiche di cui hai bisogno.
Hot search vocabulary
- IXFN40N90P Datasheet
- where to find IXFN40N90P
- IXYS
- IXYS IXFN40N90P
- IXFN40N90P PDF Datasheet
- IXFN40N90P Stock
- IXFN40N90P Pinout
- Datasheet IXFN40N90P
- IXFN40N90P Supplier
- IXYS Distributor
- IXFN40N90P Price
- IXFN40N90P Distributor
IXFN40N90P Specifiche
Produttore | IXYS |
Serie | Polar™ |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Tensione Drain to Source (Vdss) | 900V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 33A (Tc) |
Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 210mOhm @ 20A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 6.5V @ 1mA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 230nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±30V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 14000pF @ 25V |
Funzione FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 695W (Tc) |
Temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Chassis Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | SOT-227B |
Pacchetto / Custodia | SOT-227-4, miniBLOC |
I prodotti a cui potresti essere interessato
Diodes Incorporated Produttore Diodes Incorporated Serie - Tipo FET N-Channel Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss) 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 810mA (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) 1.8V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs 400mOhm @ 600mA, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 0.74nC @ 4.5V Vgs (massimo) ±6V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 60.67pF @ 16V Funzione FET - Dissipazione di potenza (max) 460mW (Ta) Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore X2-DFN1006-3 Pacchetto / Custodia 3-XFDFN |
Vishay Siliconix Produttore Vishay Siliconix Serie TrenchFET® Tipo FET P-Channel Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss) 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 10A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs 7.75mOhm @ 14A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id 1.4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 110nC @ 4.5V Vgs (massimo) ±12V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds - Funzione FET - Dissipazione di potenza (max) 1.5W (Ta) Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore 8-SO Pacchetto / Custodia 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
STMicroelectronics Produttore STMicroelectronics Serie MDmesh™ Tipo FET N-Channel Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss) 650V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 11A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 450mOhm @ 5.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 30nC @ 10V Vgs (massimo) ±30V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1000pF @ 25V Funzione FET - Dissipazione di potenza (max) 160W (Tc) Temperatura di esercizio -65°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore I2PAK Pacchetto / Custodia TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
ON Semiconductor Produttore ON Semiconductor Serie PowerTrench® Tipo FET P-Channel Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss) 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 2.6A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) 1.5V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs 140mOhm @ 2A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id 1.2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 8.8nC @ 4.5V Vgs (massimo) ±8V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 555pF @ 10V Funzione FET - Dissipazione di potenza (max) 1.3W (Ta) Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore 4-WLCSP (0.8x0.8) Pacchetto / Custodia 4-XFBGA, WLCSP |
STMicroelectronics Produttore STMicroelectronics Serie MDmesh™ Tipo FET N-Channel Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss) 650V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 5A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 750mOhm @ 3A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 12.5nC @ 10V Vgs (massimo) ±25V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 410pF @ 100V Funzione FET - Dissipazione di potenza (max) 48W (Tc) Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore PowerFlat™ (5x6) HV Pacchetto / Custodia 8-PowerVDFN |