Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
Milioni di parti elettroniche in magazzino. Quotazioni su prezzi e tempi di consegna entro 24 ore.

IXFA16N50P

IXFA16N50P

Solo per riferimento

Numero parte IXFA16N50P
PNEDA Part # IXFA16N50P
Descrizione MOSFET N-CH 500V 16A D2-PAK
Produttore IXYS
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 4.374
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata nov 17 - nov 22 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

IXFA16N50P Risorse

Brand IXYS
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteIXFA16N50P
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Singolo
Datasheet
IXFA16N50P, IXFA16N50P Datasheet (Totale pagine: 4, Dimensioni: 252,35 KB)
PDFIXFA16N50P Datasheet Copertura
IXFA16N50P Datasheet Pagina 2 IXFA16N50P Datasheet Pagina 3 IXFA16N50P Datasheet Pagina 4

Payment Method

TT Unionpay paypal paypalwtcreditcard alipay wu
  • Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
  • If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
  • Some orders may require a minimum amount of $100.00.
  • Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.

Logistics Mode

TNT UPS Fedex EMS DHL
  • Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
  • Delivery date: usually 2 to 7 working days.
  • It is unable to appoint a date of delivery.
  • Tracking number will be sent once your order has been shipped.
  • It may take up to 24 hours before carriers display the info.

Notes

  • Please confirm the specifications of the products when ordering.
  • If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
  • Registered users can log in to the account to view the order status.
  • You can email us to change the order details before shipment.
  • Orders cannot be canceled after shipping the packages.

In PNEDA, ci sforziamo di essere il leader del settore fornendo rapidamente e in modo affidabile componenti elettronici di alta qualità ai nostri clienti.

Il nostro approccio si basa sul dimostrare ai nostri clienti tre vantaggi chiave:

  • Pronta reattività

    Il nostro team risponde rapidamente alle tue richieste e si mette immediatamente al lavoro per trovare le tue parti.

  • Qualità garantita

    I nostri processi di controllo della qualità proteggono dalle contraffazioni garantendo affidabilità e prestazioni.

  • Accesso globale

    La nostra rete mondiale di risorse affidabili ci consente di trovare e fornire le parti specifiche di cui hai bisogno.

Hot search vocabulary

  • IXFA16N50P Datasheet
  • where to find IXFA16N50P
  • IXYS

  • IXYS IXFA16N50P
  • IXFA16N50P PDF Datasheet
  • IXFA16N50P Stock

  • IXFA16N50P Pinout
  • Datasheet IXFA16N50P
  • IXFA16N50P Supplier

  • IXYS Distributor
  • IXFA16N50P Price
  • IXFA16N50P Distributor

IXFA16N50P Specifiche

ProduttoreIXYS
SerieHiPerFET™, PolarHT™
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Tensione Drain to Source (Vdss)500V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C16A (Tc)
Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs400mOhm @ 8A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id5.5V @ 2.5mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs43nC @ 10V
Vgs (massimo)±30V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds2250pF @ 25V
Funzione FET-
Dissipazione di potenza (max)300W (Tc)
Temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto dispositivo fornitoreTO-263 (IXFA)
Pacchetto / CustodiaTO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

I prodotti a cui potresti essere interessato

STF5N62K3

STMicroelectronics

Produttore

STMicroelectronics

Serie

SuperMESH3™

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

620V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

4.2A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

1.6Ohm @ 2.1A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4.5V @ 50µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

26nC @ 10V

Vgs (massimo)

±30V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

680pF @ 50V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

25W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-220FP

Pacchetto / Custodia

TO-220-3 Full Pack

SIHG30N60E-E3

Vishay Siliconix

Produttore

Vishay Siliconix

Serie

-

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

600V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

29A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

125mOhm @ 15A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

130nC @ 10V

Vgs (massimo)

±30V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

2600pF @ 100V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

250W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-247AC

Pacchetto / Custodia

TO-247-3

DMN2013UFDE-7

Diodes Incorporated

Produttore

Diodes Incorporated

Serie

-

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

20V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

10.5A (Ta)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

1.5V, 4.5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

11mOhm @ 8.5A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

25.8nC @ 8V

Vgs (massimo)

±8V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

2453pF @ 10V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

660mW (Ta)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

U-DFN2020-6 (Type E)

Pacchetto / Custodia

6-UDFN Exposed Pad

IRF510STRL

Vishay Siliconix

Produttore

Vishay Siliconix

Serie

-

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

100V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

5.6A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

540mOhm @ 3.4A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

8.3nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

180pF @ 25V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

3.7W (Ta), 43W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

D2PAK

Pacchetto / Custodia

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

IRFS3207TRLPBF

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

HEXFET®

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

75V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

170A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

4.5mOhm @ 75A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

260nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

7600pF @ 50V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

300W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

D2PAK

Pacchetto / Custodia

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Venduto di recente

AD8113JSTZ

AD8113JSTZ

Analog Devices

IC VIDEO CROSSPOINT SWIT 100LQFP

MPXM2010GS

MPXM2010GS

NXP

SENS PRESSURE 1.45 PSI MAX MPAK

SBR05U20LPS-7

SBR05U20LPS-7

Diodes Incorporated

DIODE SBR 20V 500MA 2DFN

MC14066BDR2G

MC14066BDR2G

ON Semiconductor

IC MULTIPLEXER QUAD 4X1 14SOIC

MAX690AESA+T

MAX690AESA+T

Maxim Integrated

IC SUPERVISOR MPU 8-SOIC

NFA31GD1014704D

NFA31GD1014704D

Murata

FILTER RC 47 OHM/100PF SMD

1SS355TE-17

1SS355TE-17

Rohm Semiconductor

DIODE GEN PURP 80V 100MA UMD2

L298P

L298P

STMicroelectronics

IC BRIDGE DRIVER PAR 20POWERSO

MAX3491ESD

MAX3491ESD

Maxim Integrated

IC TRANSCEIVER FULL 1/1 14SOIC

NTS0104BQ,115

NTS0104BQ,115

NXP

IC TRNSLTR BIDIR 14DHVQFN

MT29F4G08ABADAH4-IT:D

MT29F4G08ABADAH4-IT:D

Micron Technology Inc.

IC FLASH 4G PARALLEL 63VFBGA

MIC29302BU

MIC29302BU

Microchip Technology

IC REG LINEAR POS ADJ 3A TO263-5