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IXDE509SIAT/R

IXDE509SIAT/R

Solo per riferimento

Numero parte IXDE509SIAT/R
PNEDA Part # IXDE509SIAT-R
Descrizione IC GATE DRIVER 9A 8-SOIC
Produttore IXYS
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 7.884
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata dic 3 - dic 8 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

IXDE509SIAT/R Risorse

Brand IXYS
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteIXDE509SIAT/R
CategoriaSemiconduttoriCI di gestione dell'alimentazionePMIC - Gate driver
Datasheet
IXDE509SIAT/R, IXDE509SIAT/R Datasheet (Totale pagine: 14, Dimensioni: 402,26 KB)
PDFIXDD509D1T/R Datasheet Copertura
IXDD509D1T/R Datasheet Pagina 2 IXDD509D1T/R Datasheet Pagina 3 IXDD509D1T/R Datasheet Pagina 4 IXDD509D1T/R Datasheet Pagina 5 IXDD509D1T/R Datasheet Pagina 6 IXDD509D1T/R Datasheet Pagina 7 IXDD509D1T/R Datasheet Pagina 8 IXDD509D1T/R Datasheet Pagina 9 IXDD509D1T/R Datasheet Pagina 10 IXDD509D1T/R Datasheet Pagina 11

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IXDE509SIAT/R Specifiche

ProduttoreIXYS
Serie-
Configurazione guidataLow-Side
Tipo di canaleSingle
Numero di driver1
Tipo di portaIGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET
Tensione - Alimentazione4.5V ~ 30V
Tensione logica - VIL, VIH0.8V, 2.4V
Corrente - Uscita di picco (Source, Sink)9A, 9A
Tipo di ingressoInverting
High Side Voltage - Max (Bootstrap)-
Tempo di salita / discesa (tipico)25ns, 23ns
Temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore8-SOIC

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Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

-

Configurazione guidata

Half-Bridge

Tipo di canale

3-Phase

Numero di driver

6

Tipo di porta

IGBT, N-Channel MOSFET

Tensione - Alimentazione

10V ~ 20V

Tensione logica - VIL, VIH

0.8V, 2.2V

Corrente - Uscita di picco (Source, Sink)

250mA, 500mA

Tipo di ingresso

Inverting

High Side Voltage - Max (Bootstrap)

600V

Tempo di salita / discesa (tipico)

90ns, 40ns

Temperatura di esercizio

125°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

44-LCC (J-Lead), 32 Leads

Pacchetto dispositivo fornitore

44-PLCC, 32 Leads (16.58x16.58)

UC2707N

Texas Instruments

Produttore

Serie

-

Configurazione guidata

Low-Side

Tipo di canale

Independent

Numero di driver

2

Tipo di porta

N-Channel MOSFET

Tensione - Alimentazione

5V ~ 40V

Tensione logica - VIL, VIH

0.8V, 2.2V

Corrente - Uscita di picco (Source, Sink)

1.5A, 1.5A

Tipo di ingresso

Inverting, Non-Inverting

High Side Voltage - Max (Bootstrap)

-

Tempo di salita / discesa (tipico)

40ns, 40ns

Temperatura di esercizio

-25°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

16-DIP (0.300", 7.62mm)

Pacchetto dispositivo fornitore

16-PDIP

MIC4120YME

Microchip Technology

Produttore

Microchip Technology

Serie

-

Configurazione guidata

Low-Side

Tipo di canale

Single

Numero di driver

1

Tipo di porta

N-Channel, P-Channel MOSFET

Tensione - Alimentazione

4.5V ~ 20V

Tensione logica - VIL, VIH

0.8V, 2.4V

Corrente - Uscita di picco (Source, Sink)

6A, 6A

Tipo di ingresso

Non-Inverting

High Side Voltage - Max (Bootstrap)

-

Tempo di salita / discesa (tipico)

12ns, 13ns

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 125°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad

Pacchetto dispositivo fornitore

8-SOIC-EP

MAX15018BASA+

Maxim Integrated

Produttore

Maxim Integrated

Serie

-

Configurazione guidata

Half-Bridge

Tipo di canale

Independent

Numero di driver

2

Tipo di porta

N-Channel MOSFET

Tensione - Alimentazione

8V ~ 12.6V

Tensione logica - VIL, VIH

-

Corrente - Uscita di picco (Source, Sink)

3A, 3A

Tipo di ingresso

Inverting, Non-Inverting

High Side Voltage - Max (Bootstrap)

125V

Tempo di salita / discesa (tipico)

50ns, 40ns

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad

Pacchetto dispositivo fornitore

8-SOIC-EP

ISL6622ACRZ

Renesas Electronics America Inc.

Produttore

Renesas Electronics America Inc.

Serie

-

Configurazione guidata

Half-Bridge

Tipo di canale

Synchronous

Numero di driver

2

Tipo di porta

N-Channel MOSFET

Tensione - Alimentazione

6.8V ~ 13.2V

Tensione logica - VIL, VIH

-

Corrente - Uscita di picco (Source, Sink)

1.25A, 2A

Tipo di ingresso

Non-Inverting

High Side Voltage - Max (Bootstrap)

36V

Tempo di salita / discesa (tipico)

26ns, 18ns

Temperatura di esercizio

0°C ~ 125°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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Pacchetto dispositivo fornitore

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