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IXDE504SIAT/R

IXDE504SIAT/R

Solo per riferimento

Numero parte IXDE504SIAT/R
PNEDA Part # IXDE504SIAT-R
Descrizione IC GATE DRIVER 4A 8-SOIC
Produttore IXYS
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 3.798
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata nov 17 - nov 22 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

IXDE504SIAT/R Risorse

Brand IXYS
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteIXDE504SIAT/R
CategoriaSemiconduttoriCI di gestione dell'alimentazionePMIC - Gate driver
Datasheet
IXDE504SIAT/R, IXDE504SIAT/R Datasheet (Totale pagine: 13, Dimensioni: 401,42 KB)
PDFIXDE504SIAT/R Datasheet Copertura
IXDE504SIAT/R Datasheet Pagina 2 IXDE504SIAT/R Datasheet Pagina 3 IXDE504SIAT/R Datasheet Pagina 4 IXDE504SIAT/R Datasheet Pagina 5 IXDE504SIAT/R Datasheet Pagina 6 IXDE504SIAT/R Datasheet Pagina 7 IXDE504SIAT/R Datasheet Pagina 8 IXDE504SIAT/R Datasheet Pagina 9 IXDE504SIAT/R Datasheet Pagina 10 IXDE504SIAT/R Datasheet Pagina 11

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IXDE504SIAT/R Specifiche

ProduttoreIXYS
Serie-
Configurazione guidataLow-Side
Tipo di canaleIndependent
Numero di driver2
Tipo di portaIGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET
Tensione - Alimentazione4.5V ~ 30V
Tensione logica - VIL, VIH0.8V, 3V
Corrente - Uscita di picco (Source, Sink)4A, 4A
Tipo di ingressoInverting
High Side Voltage - Max (Bootstrap)-
Tempo di salita / discesa (tipico)9ns, 8ns
Temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore8-SOIC

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Microchip Technology

Produttore

Microchip Technology

Serie

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Configurazione guidata

Low-Side

Tipo di canale

Independent

Numero di driver

2

Tipo di porta

IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET

Tensione - Alimentazione

4.5V ~ 18V

Tensione logica - VIL, VIH

0.8V, 2.4V

Corrente - Uscita di picco (Source, Sink)

4A, 4A

Tipo di ingresso

Non-Inverting

High Side Voltage - Max (Bootstrap)

-

Tempo di salita / discesa (tipico)

15ns, 18ns

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-VDFN Exposed Pad

Pacchetto dispositivo fornitore

8-DFN-S (6x5)

LTC4444MPMS8E#TRPBF

Linear Technology/Analog Devices

Produttore

Linear Technology/Analog Devices

Serie

-

Configurazione guidata

Half-Bridge

Tipo di canale

Independent

Numero di driver

2

Tipo di porta

N-Channel MOSFET

Tensione - Alimentazione

7.2V ~ 13.5V

Tensione logica - VIL, VIH

1.85V, 3.25V

Corrente - Uscita di picco (Source, Sink)

2.5A, 3A

Tipo di ingresso

Inverting

High Side Voltage - Max (Bootstrap)

114V

Tempo di salita / discesa (tipico)

8ns, 5ns

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width) Exposed Pad

Pacchetto dispositivo fornitore

8-MSOP-EP

MAX20307EWL+

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Produttore

Maxim Integrated

Serie

-

Configurazione guidata

Half-Bridge

Tipo di canale

Synchronous

Numero di driver

2

Tipo di porta

N-Channel MOSFET

Tensione - Alimentazione

4.5V ~ 5.5V

Tensione logica - VIL, VIH

0.4V, 1.6V

Corrente - Uscita di picco (Source, Sink)

1A, 5A

Tipo di ingresso

TTL

High Side Voltage - Max (Bootstrap)

60V

Tempo di salita / discesa (tipico)

5ns, 1ns

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

15-WFBGA, WLBGA

Pacchetto dispositivo fornitore

15-WLP (1.22x2.05)

IRS2336DMTRPBF

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

-

Configurazione guidata

Half-Bridge

Tipo di canale

3-Phase

Numero di driver

6

Tipo di porta

IGBT, N-Channel MOSFET

Tensione - Alimentazione

10V ~ 20V

Tensione logica - VIL, VIH

0.8V, 2.5V

Corrente - Uscita di picco (Source, Sink)

200mA, 350mA

Tipo di ingresso

Inverting

High Side Voltage - Max (Bootstrap)

600V

Tempo di salita / discesa (tipico)

125ns, 50ns

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

48-VFQFN Exposed Pad, 34 Leads

Pacchetto dispositivo fornitore

48-MLPQ, 34 Leads (7x7)

IR2110STR

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

-

Configurazione guidata

Half-Bridge

Tipo di canale

Independent

Numero di driver

2

Tipo di porta

IGBT, N-Channel MOSFET

Tensione - Alimentazione

3.3V ~ 20V

Tensione logica - VIL, VIH

6V, 9.5V

Corrente - Uscita di picco (Source, Sink)

2A, 2A

Tipo di ingresso

Non-Inverting

High Side Voltage - Max (Bootstrap)

500V

Tempo di salita / discesa (tipico)

25ns, 17ns

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

16-SOIC (0.295", 7.50mm Width)

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