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IXBP5N160G

IXBP5N160G

Solo per riferimento

Numero parte IXBP5N160G
PNEDA Part # IXBP5N160G
Descrizione IGBT 1600V 5.7A 68W TO220AB
Produttore IXYS
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 2.574
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata apr 29 - mag 4 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

IXBP5N160G Risorse

Brand IXYS
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteIXBP5N160G
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - IGBT - Singolo
Datasheet
IXBP5N160G, IXBP5N160G Datasheet (Totale pagine: 2, Dimensioni: 39,95 KB)
PDFIXBH5N160G Datasheet Copertura
IXBH5N160G Datasheet Pagina 2

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IXBP5N160G Specifiche

ProduttoreIXYS
SerieBIMOSFET™
Tipo IGBT-
Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)1600V
Corrente - Collettore (Ic) (Max)5.7A
Corrente - Collettore Pulsato (Icm)-
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic7.2V @ 15V, 3A
Potenza - Max68W
Switching Energy-
Tipo di ingressoStandard
Gate Charge26nC
Td (acceso / spento) @ 25 ° C-
Condizione di test960V, 3A, 47Ohm, 10V
Tempo di recupero inverso (trr)-
Temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioThrough Hole
Pacchetto / CustodiaTO-220-3
Pacchetto dispositivo fornitoreTO-220AB

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Produttore

Infineon Technologies

Serie

-

Tipo IGBT

Trench

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

600V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

12A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

18A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2V @ 15V, 6A

Potenza - Max

77W

Switching Energy

56µJ (on), 122µJ (off)

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

19.5nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

27ns/75ns

Condizione di test

400V, 6A, 47Ohm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr)

74ns

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Pacchetto dispositivo fornitore

D-Pak

TIG067SS-TL-2W

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo IGBT

-

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

400V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

-

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

150A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

5V @ 4V, 150A

Potenza - Max

1.2W

Switching Energy

-

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

-

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

-

Condizione di test

-

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

8-SOIC

Produttore

IXYS

Serie

-

Tipo IGBT

-

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

600V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

75A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

150A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.2V @ 15V, 40A

Potenza - Max

280W

Switching Energy

1.8mJ (off)

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

190nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

50ns/110ns

Condizione di test

480V, 40A, 2.7Ohm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr)

35ns

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-247-3

Pacchetto dispositivo fornitore

PLUS247™-3

NGD8201NT4

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo IGBT

-

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

440V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

20A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

50A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.9V @ 4.5V, 20A

Potenza - Max

125W

Switching Energy

-

Tipo di ingresso

Logic

Gate Charge

-

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

-/5µs

Condizione di test

300V, 9A, 1kOhm, 5V

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Pacchetto dispositivo fornitore

DPAK

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Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

-

Tipo IGBT

-

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

600V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

16A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

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34nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

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Condizione di test

480V, 9A, 50Ohm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr)

37ns

Temperatura di esercizio

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