IX6R11M6T/R
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| Numero parte | IX6R11M6T/R |
| PNEDA Part # | IX6R11M6T-R |
| Descrizione | IC DRVR HALF BRIDGE 4A 16-MLP |
| Produttore | IXYS |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 4.914 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | nov 18 - nov 23 (Scegli Spedizione rapida) |
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IX6R11M6T/R Risorse
| Brand | IXYS |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | IX6R11M6T/R |
| Categoria | Semiconduttori › CI di gestione dell'alimentazione › PMIC - Gate driver |
| Datasheet |
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IX6R11M6T/R Specifiche
| Produttore | IXYS |
| Serie | - |
| Configurazione guidata | Half-Bridge |
| Tipo di canale | Independent |
| Numero di driver | 2 |
| Tipo di porta | IGBT, N-Channel MOSFET |
| Tensione - Alimentazione | 10V ~ 35V |
| Tensione logica - VIL, VIH | 6V, 9.5V |
| Corrente - Uscita di picco (Source, Sink) | - |
| Tipo di ingresso | Non-Inverting |
| High Side Voltage - Max (Bootstrap) | 600V |
| Tempo di salita / discesa (tipico) | 25ns, 17ns |
| Temperatura di esercizio | -40°C ~ 125°C (TA) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / Custodia | 16-VDFN Exposed Pad |
| Pacchetto dispositivo fornitore | 16-MLP (7x6) |
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Produttore IXYS Serie - Configurazione guidata Low-Side Tipo di canale Independent Numero di driver 2 Tipo di porta IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET Tensione - Alimentazione 4.5V ~ 30V Tensione logica - VIL, VIH 0.8V, 3V Corrente - Uscita di picco (Source, Sink) 4A, 4A Tipo di ingresso Non-Inverting High Side Voltage - Max (Bootstrap) - Tempo di salita / discesa (tipico) 9ns, 8ns Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore 8-SOIC |
Produttore Microchip Technology Serie - Configurazione guidata Low-Side Tipo di canale Independent Numero di driver 2 Tipo di porta N-Channel, P-Channel MOSFET Tensione - Alimentazione 4.5V ~ 16V Tensione logica - VIL, VIH 0.8V, 3V Corrente - Uscita di picco (Source, Sink) 1.2A, 1.2A Tipo di ingresso Inverting, Non-Inverting High Side Voltage - Max (Bootstrap) - Tempo di salita / discesa (tipico) 35ns, 25ns Temperatura di esercizio 0°C ~ 70°C (TA) Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto / Custodia 8-DIP (0.300", 7.62mm) Pacchetto dispositivo fornitore 8-PDIP |
Produttore Renesas Electronics America Inc. Serie - Configurazione guidata Half-Bridge Tipo di canale Synchronous Numero di driver 2 Tipo di porta N-Channel MOSFET Tensione - Alimentazione 4.5V ~ 5.5V Tensione logica - VIL, VIH 0.5V, 2V Corrente - Uscita di picco (Source, Sink) 2A, 2A Tipo di ingresso Non-Inverting High Side Voltage - Max (Bootstrap) 33V Tempo di salita / discesa (tipico) 8ns, 8ns Temperatura di esercizio -10°C ~ 125°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 8-VFDFN Exposed Pad Pacchetto dispositivo fornitore 8-DFN-EP (2x2) |
Produttore Serie - Configurazione guidata Low-Side Tipo di canale Synchronous Numero di driver 2 Tipo di porta N-Channel, P-Channel MOSFET Tensione - Alimentazione 4V ~ 14V Tensione logica - VIL, VIH 1V, 4V Corrente - Uscita di picco (Source, Sink) 2A, 2A Tipo di ingresso Non-Inverting High Side Voltage - Max (Bootstrap) - Tempo di salita / discesa (tipico) 14ns, 15ns Temperatura di esercizio -40°C ~ 125°C (TA) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore 8-TSSOP |
Produttore Infineon Technologies Serie - Configurazione guidata High-Side Tipo di canale Single Numero di driver 1 Tipo di porta IGBT, N-Channel MOSFET Tensione - Alimentazione 9V ~ 20V Tensione logica - VIL, VIH 0.8V, 2.5V Corrente - Uscita di picco (Source, Sink) 290mA, 600mA Tipo di ingresso Inverting High Side Voltage - Max (Bootstrap) 600V Tempo di salita / discesa (tipico) 80ns, 40ns Temperatura di esercizio -40°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore 8-SOIC |
