ISS55EP06LMXTSA1
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| Numero parte | ISS55EP06LMXTSA1 |
| PNEDA Part # | ISS55EP06LMXTSA1 |
| Descrizione | MOSFET P-CH 60V SOT23-3 |
| Produttore | Infineon Technologies |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 6.678 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | nov 8 - nov 13 (Scegli Spedizione rapida) |
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ISS55EP06LMXTSA1 Risorse
| Brand | Infineon Technologies |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | ISS55EP06LMXTSA1 |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Singolo |
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ISS55EP06LMXTSA1 Specifiche
| Produttore | Infineon Technologies |
| Serie | OptiMOS™ |
| Tipo FET | P-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Tensione Drain to Source (Vdss) | 60V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 180mA (Ta) |
| Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5.5Ohm @ 180mA, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 11µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 590pC @ 10V |
| Vgs (massimo) | ±20V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 18pF @ 30V |
| Funzione FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 400mW (Ta) |
| Temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | PG-SOT23-3-5 |
| Pacchetto / Custodia | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
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Produttore Vishay Siliconix Serie TrenchFET® Tipo FET N-Channel Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss) 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 20A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 14mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 16nC @ 10V Vgs (massimo) ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1300pF @ 10V Funzione FET - Dissipazione di potenza (max) 39.5W (Tc) Temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore TO-252 Pacchetto / Custodia TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
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