ISL9R860P2
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| Numero parte | ISL9R860P2 |
| PNEDA Part # | ISL9R860P2 |
| Descrizione | DIODE GEN PURP 600V 8A TO220AC |
| Produttore | ON Semiconductor |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 14.262 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | ott 1 - ott 6 (Scegli Spedizione rapida) |
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ISL9R860P2 Risorse
| Brand | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | ISL9R860P2 |
| Categoria | Semiconduttori › Diodi e raddrizzatori › Raddrizzatori - Singoli |
| Datasheet |
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ISL9R860P2 Specifiche
| Produttore | ON Semiconductor |
| Serie | Stealth™ |
| Tipo di diodo | Standard |
| Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) | 600V |
| Corrente - Media Rettificata (Io) | 8A |
| Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If | 2.4V @ 8A |
| Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Tempo di recupero inverso (trr) | 30ns |
| Corrente - Perdita inversa @ Vr | 100µA @ 600V |
| Capacità @ Vr, F | - |
| Tipo di montaggio | Through Hole |
| Pacchetto / Custodia | TO-220-2 |
| Pacchetto dispositivo fornitore | TO-220-2 |
| Temperatura di esercizio - Giunzione | -55°C ~ 175°C |
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Produttore Vishay Semiconductor Diodes Division Serie - Tipo di diodo Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) 400V Corrente - Media Rettificata (Io) 8A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If 1.25V @ 8A Velocità Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr) 50ns Corrente - Perdita inversa @ Vr 10µA @ 400V Capacità @ Vr, F - Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto / Custodia TO-220-2 Full Pack, Isolated Tab Pacchetto dispositivo fornitore ITO-220AC Temperatura di esercizio - Giunzione -40°C ~ 150°C |
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