ISL89165FRTCZ-T
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| Numero parte | ISL89165FRTCZ-T |
| PNEDA Part # | ISL89165FRTCZ-T |
| Descrizione | MOSFET DRIVER 2CH 6A 8TDFN |
| Produttore | Renesas Electronics America Inc. |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 7.020 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | nov 24 - nov 29 (Scegli Spedizione rapida) |
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ISL89165FRTCZ-T Risorse
| Brand | Renesas Electronics America Inc. |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | ISL89165FRTCZ-T |
| Categoria | Semiconduttori › CI di gestione dell'alimentazione › PMIC - Gate driver |
| Datasheet |
ISL89165FRTCZ-T, ISL89165FRTCZ-T Datasheet
(Totale pagine: 16, Dimensioni: 834,2 KB)
  
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ISL89165FRTCZ-T Specifiche
| Produttore | Renesas Electronics America Inc. |
| Serie | - |
| Configurazione guidata | Low-Side |
| Tipo di canale | Independent |
| Numero di driver | 2 |
| Tipo di porta | N-Channel MOSFET |
| Tensione - Alimentazione | 7.5V ~ 16V |
| Tensione logica - VIL, VIH | 2.4V, 9.6V |
| Corrente - Uscita di picco (Source, Sink) | 6A, 6A |
| Tipo di ingresso | Inverting, Non-Inverting |
| High Side Voltage - Max (Bootstrap) | - |
| Tempo di salita / discesa (tipico) | 20ns, 20ns |
| Temperatura di esercizio | -40°C ~ 125°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / Custodia | 8-VFDFN Exposed Pad |
| Pacchetto dispositivo fornitore | 8-SOIC-EP |
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Produttore Infineon Technologies Serie - Configurazione guidata - Tipo di canale - Numero di driver - Tipo di porta - Tensione - Alimentazione - Tensione logica - VIL, VIH - Corrente - Uscita di picco (Source, Sink) - Tipo di ingresso - High Side Voltage - Max (Bootstrap) - Tempo di salita / discesa (tipico) - Temperatura di esercizio - Tipo di montaggio - Pacchetto / Custodia - Pacchetto dispositivo fornitore - |
Produttore Infineon Technologies Serie - Configurazione guidata Half-Bridge Tipo di canale Synchronous Numero di driver 2 Tipo di porta IGBT, N-Channel MOSFET Tensione - Alimentazione 10V ~ 20V Tensione logica - VIL, VIH 0.8V, 2.9V Corrente - Uscita di picco (Source, Sink) 200mA, 350mA Tipo di ingresso Non-Inverting High Side Voltage - Max (Bootstrap) 600V Tempo di salita / discesa (tipico) 150ns, 50ns Temperatura di esercizio -40°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto / Custodia 14-DIP (0.300", 7.62mm) Pacchetto dispositivo fornitore 14-DIP |
Produttore Serie - Configurazione guidata Half-Bridge Tipo di canale Independent Numero di driver 2 Tipo di porta N-Channel MOSFET Tensione - Alimentazione 9V ~ 14V Tensione logica - VIL, VIH 2.3V, - Corrente - Uscita di picco (Source, Sink) 3A, 3A Tipo di ingresso Non-Inverting High Side Voltage - Max (Bootstrap) 100V Tempo di salita / discesa (tipico) 430ns, 260ns Temperatura di esercizio -40°C ~ 125°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 8-WDFN Exposed Pad Pacchetto dispositivo fornitore 8-WSON (4x4) |
Produttore Serie - Configurazione guidata Half-Bridge Tipo di canale Independent Numero di driver 2 Tipo di porta N-Channel MOSFET Tensione - Alimentazione 4.5V ~ 5.5V Tensione logica - VIL, VIH 1.76V, 1.89V Corrente - Uscita di picco (Source, Sink) 1.2A, 5A Tipo di ingresso Non-Inverting High Side Voltage - Max (Bootstrap) 107V Tempo di salita / discesa (tipico) 7ns, 1.5ns Temperatura di esercizio -40°C ~ 125°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 10-WDFN Exposed Pad Pacchetto dispositivo fornitore 10-WSON (4x4) |
Produttore Renesas Electronics America Inc. Serie - Configurazione guidata Half-Bridge Tipo di canale Synchronous Numero di driver 2 Tipo di porta N-Channel MOSFET Tensione - Alimentazione 10.8V ~ 13.2V Tensione logica - VIL, VIH - Corrente - Uscita di picco (Source, Sink) 1.25A, 2A Tipo di ingresso Non-Inverting High Side Voltage - Max (Bootstrap) 36V Tempo di salita / discesa (tipico) 26ns, 18ns Temperatura di esercizio 0°C ~ 125°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 10-VFDFN Exposed Pad Pacchetto dispositivo fornitore 10-DFN (3x3) |
