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ISL6594BCR

ISL6594BCR

Solo per riferimento

Numero parte ISL6594BCR
PNEDA Part # ISL6594BCR
Descrizione IC MOSFET DRVR SYNC BUCK 10-DFN
Produttore Renesas Electronics America Inc.
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 7.542
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata apr 2 - apr 7 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

ISL6594BCR Risorse

Brand Renesas Electronics America Inc.
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteISL6594BCR
CategoriaSemiconduttoriCI di gestione dell'alimentazionePMIC - Gate driver
Datasheet
ISL6594BCR, ISL6594BCR Datasheet (Totale pagine: 11, Dimensioni: 647,61 KB)
PDFISL6594BCRZ-T Datasheet Copertura
ISL6594BCRZ-T Datasheet Pagina 2 ISL6594BCRZ-T Datasheet Pagina 3 ISL6594BCRZ-T Datasheet Pagina 4 ISL6594BCRZ-T Datasheet Pagina 5 ISL6594BCRZ-T Datasheet Pagina 6 ISL6594BCRZ-T Datasheet Pagina 7 ISL6594BCRZ-T Datasheet Pagina 8 ISL6594BCRZ-T Datasheet Pagina 9 ISL6594BCRZ-T Datasheet Pagina 10 ISL6594BCRZ-T Datasheet Pagina 11

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ISL6594BCR Specifiche

ProduttoreRenesas Electronics America Inc.
Serie-
Configurazione guidataHalf-Bridge
Tipo di canaleSynchronous
Numero di driver2
Tipo di portaN-Channel MOSFET
Tensione - Alimentazione10.8V ~ 13.2V
Tensione logica - VIL, VIH-
Corrente - Uscita di picco (Source, Sink)1.25A, 2A
Tipo di ingressoNon-Inverting
High Side Voltage - Max (Bootstrap)36V
Tempo di salita / discesa (tipico)26ns, 18ns
Temperatura di esercizio0°C ~ 125°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia10-VFDFN Exposed Pad
Pacchetto dispositivo fornitore10-DFN (3x3)

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Produttore

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Serie

-

Configurazione guidata

Half-Bridge

Tipo di canale

3-Phase

Numero di driver

6

Tipo di porta

IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET

Tensione - Alimentazione

8V ~ 35V

Tensione logica - VIL, VIH

0.8V, 3V

Corrente - Uscita di picco (Source, Sink)

600mA, 600mA

Tipo di ingresso

Inverting

High Side Voltage - Max (Bootstrap)

650V

Tempo di salita / discesa (tipico)

125ns, 50ns

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 125°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

48-VFQFN

Pacchetto dispositivo fornitore

48-MLP

MAX5057BASA-T

Maxim Integrated

Produttore

Maxim Integrated

Serie

-

Configurazione guidata

Low-Side

Tipo di canale

Independent

Numero di driver

2

Tipo di porta

N-Channel MOSFET

Tensione - Alimentazione

4V ~ 15V

Tensione logica - VIL, VIH

0.8V, 2.1V

Corrente - Uscita di picco (Source, Sink)

4A, 4A

Tipo di ingresso

Inverting, Non-Inverting

High Side Voltage - Max (Bootstrap)

-

Tempo di salita / discesa (tipico)

32ns, 26ns

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

8-SOIC

TSC428CBA+T

Maxim Integrated

Produttore

Maxim Integrated

Serie

-

Configurazione guidata

Low-Side

Tipo di canale

Independent

Numero di driver

2

Tipo di porta

N-Channel, P-Channel MOSFET

Tensione - Alimentazione

4.5V ~ 18V

Tensione logica - VIL, VIH

0.8V, 2.4V

Corrente - Uscita di picco (Source, Sink)

1.5A, 1.5A

Tipo di ingresso

Inverting, Non-Inverting

High Side Voltage - Max (Bootstrap)

-

Tempo di salita / discesa (tipico)

25ns, 25ns

Temperatura di esercizio

0°C ~ 70°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

8-SOIC

MIC4468ZWM-TR

Microchip Technology

Produttore

Microchip Technology

Serie

-

Configurazione guidata

Low-Side

Tipo di canale

Independent

Numero di driver

4

Tipo di porta

N-Channel, P-Channel MOSFET

Tensione - Alimentazione

4.5V ~ 18V

Tensione logica - VIL, VIH

0.8V, 2.4V

Corrente - Uscita di picco (Source, Sink)

1.2A, 1.2A

Tipo di ingresso

Non-Inverting

High Side Voltage - Max (Bootstrap)

-

Tempo di salita / discesa (tipico)

14ns, 13ns

Temperatura di esercizio

0°C ~ 70°C

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

16-SOIC (0.295", 7.50mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

16-SOIC

IR2132

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

-

Configurazione guidata

Half-Bridge

Tipo di canale

3-Phase

Numero di driver

6

Tipo di porta

IGBT, N-Channel MOSFET

Tensione - Alimentazione

10V ~ 20V

Tensione logica - VIL, VIH

0.8V, 2.2V

Corrente - Uscita di picco (Source, Sink)

250mA, 500mA

Tipo di ingresso

Inverting

High Side Voltage - Max (Bootstrap)

600V

Tempo di salita / discesa (tipico)

80ns, 35ns

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

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