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IS66WVC2M16EALL-7010BLI-TR

IS66WVC2M16EALL-7010BLI-TR

Solo per riferimento

Numero parte IS66WVC2M16EALL-7010BLI-TR
PNEDA Part # IS66WVC2M16EALL-7010BLI-TR
Descrizione IC PSRAM 32M PARALLEL 54VFBGA
Produttore ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 5.958
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
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Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

IS66WVC2M16EALL-7010BLI-TR Risorse

Brand ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteIS66WVC2M16EALL-7010BLI-TR
CategoriaSemiconduttoriCircuiti integrati di memoriaMemoria
Datasheet
IS66WVC2M16EALL-7010BLI-TR, IS66WVC2M16EALL-7010BLI-TR Datasheet (Totale pagine: 68, Dimensioni: 1.661,47 KB)
PDFIS66WVC2M16ECLL-7010BLI Datasheet Copertura
IS66WVC2M16ECLL-7010BLI Datasheet Pagina 2 IS66WVC2M16ECLL-7010BLI Datasheet Pagina 3 IS66WVC2M16ECLL-7010BLI Datasheet Pagina 4 IS66WVC2M16ECLL-7010BLI Datasheet Pagina 5 IS66WVC2M16ECLL-7010BLI Datasheet Pagina 6 IS66WVC2M16ECLL-7010BLI Datasheet Pagina 7 IS66WVC2M16ECLL-7010BLI Datasheet Pagina 8 IS66WVC2M16ECLL-7010BLI Datasheet Pagina 9 IS66WVC2M16ECLL-7010BLI Datasheet Pagina 10 IS66WVC2M16ECLL-7010BLI Datasheet Pagina 11

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  • ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Distributor
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  • IS66WVC2M16EALL-7010BLI-TR Distributor

IS66WVC2M16EALL-7010BLI-TR Specifiche

ProduttoreISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie-
Tipo di memoriaVolatile
Formato memoriaPSRAM
TecnologiaPSRAM (Pseudo SRAM)
Dimensione della memoria32Mb (2M x 16)
Interfaccia di memoriaParallel
Frequenza di clock-
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina70ns
Tempo di accesso70ns
Tensione - Alimentazione1.7V ~ 1.95V
Temperatura di esercizio-40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia54-VFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore54-VFBGA (6x8)

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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Produttore

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

DRAM

Tecnologia

SDRAM - DDR3L

Dimensione della memoria

4Gb (256M x 16)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

667MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

15ns

Tempo di accesso

20ns

Tensione - Alimentazione

1.283V ~ 1.45V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 95°C (TC)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

96-TFBGA

Pacchetto dispositivo fornitore

96-TWBGA (9x13)

STK14D88-RF45TR

Cypress Semiconductor

Produttore

Cypress Semiconductor Corp

Serie

-

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

NVSRAM

Tecnologia

NVSRAM (Non-Volatile SRAM)

Dimensione della memoria

256Kb (32K x 8)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

45ns

Tempo di accesso

45ns

Tensione - Alimentazione

2.7V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 70°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

48-BSSOP (0.295", 7.50mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

48-SSOP

MT29F2T08CTCCBJ7-6R:C

Micron Technology Inc.

Produttore

Micron Technology Inc.

Serie

-

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

FLASH

Tecnologia

FLASH - NAND

Dimensione della memoria

2Tb (256G x 8)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

167MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

2.7V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 70°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

152-LBGA

Pacchetto dispositivo fornitore

152-LBGA (14x18)

24LC08BHT-I/SN

Microchip Technology

Produttore

Microchip Technology

Serie

-

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

EEPROM

Tecnologia

EEPROM

Dimensione della memoria

8Kb (256 x 8 x 4)

Interfaccia di memoria

I²C

Frequenza di clock

400kHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

5ms

Tempo di accesso

900ns

Tensione - Alimentazione

2.5V ~ 5.5V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

8-SOIC

CY7C1471BV25-133BZXC

Cypress Semiconductor

Produttore

Cypress Semiconductor Corp

Serie

NoBL™

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

SRAM

Tecnologia

SRAM - Synchronous, SDR

Dimensione della memoria

72Mb (2M x 36)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

133MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

6.5ns

Tensione - Alimentazione

2.375V ~ 2.625V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 70°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

165-LBGA

Pacchetto dispositivo fornitore

165-FBGA (15x17)

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