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IS66WV51216EBLL-70BLI

IS66WV51216EBLL-70BLI

Solo per riferimento

Numero parte IS66WV51216EBLL-70BLI
PNEDA Part # IS66WV51216EBLL-70BLI
Descrizione IC PSRAM 8M PARALLEL 48TFBGA
Produttore ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 4.518
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata apr 12 - apr 17 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

IS66WV51216EBLL-70BLI Risorse

Brand ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteIS66WV51216EBLL-70BLI
CategoriaSemiconduttoriCircuiti integrati di memoriaMemoria
Datasheet
IS66WV51216EBLL-70BLI, IS66WV51216EBLL-70BLI Datasheet (Totale pagine: 16, Dimensioni: 692,71 KB)
PDFIS66WV51216EBLL-55BLI-TR Datasheet Copertura
IS66WV51216EBLL-55BLI-TR Datasheet Pagina 2 IS66WV51216EBLL-55BLI-TR Datasheet Pagina 3 IS66WV51216EBLL-55BLI-TR Datasheet Pagina 4 IS66WV51216EBLL-55BLI-TR Datasheet Pagina 5 IS66WV51216EBLL-55BLI-TR Datasheet Pagina 6 IS66WV51216EBLL-55BLI-TR Datasheet Pagina 7 IS66WV51216EBLL-55BLI-TR Datasheet Pagina 8 IS66WV51216EBLL-55BLI-TR Datasheet Pagina 9 IS66WV51216EBLL-55BLI-TR Datasheet Pagina 10 IS66WV51216EBLL-55BLI-TR Datasheet Pagina 11

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  • IS66WV51216EBLL-70BLI Distributor

IS66WV51216EBLL-70BLI Specifiche

ProduttoreISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie-
Tipo di memoriaVolatile
Formato memoriaPSRAM
TecnologiaPSRAM (Pseudo SRAM)
Dimensione della memoria8Mb (512K x 16)
Interfaccia di memoriaParallel
Frequenza di clock-
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina70ns
Tempo di accesso70ns
Tensione - Alimentazione2.5V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio-40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia48-TFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore48-TFBGA (6x8)

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Micron Technology Inc.

Produttore

Micron Technology Inc.

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

DRAM

Tecnologia

SDRAM

Dimensione della memoria

64Mb (8M x 8)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

133MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

15ns

Tempo di accesso

5.4ns

Tensione - Alimentazione

3V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 70°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

54-TSOP II

7025S17J8

IDT, Integrated Device Technology

Produttore

IDT, Integrated Device Technology Inc

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

SRAM

Tecnologia

SRAM - Dual Port, Asynchronous

Dimensione della memoria

128Kb (8K x 16)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

17ns

Tempo di accesso

17ns

Tensione - Alimentazione

4.5V ~ 5.5V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 70°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

84-LCC (J-Lead)

Pacchetto dispositivo fornitore

84-PLCC (29.21x29.21)

DS1225AB-70IND+

Maxim Integrated

Produttore

Maxim Integrated

Serie

-

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

NVSRAM

Tecnologia

NVSRAM (Non-Volatile SRAM)

Dimensione della memoria

64Kb (8K x 8)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

70ns

Tempo di accesso

70ns

Tensione - Alimentazione

4.75V ~ 5.25V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

28-DIP Module (0.600", 15.24mm)

Pacchetto dispositivo fornitore

28-EDIP

AS4C4M32S-7TCNTR

Alliance Memory, Inc.

Produttore

Alliance Memory, Inc.

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

DRAM

Tecnologia

SDRAM

Dimensione della memoria

128Mb (4M x 32)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

143MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

2ns

Tempo di accesso

5.5ns

Tensione - Alimentazione

3V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 70°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

86-TFSOP (0.400", 10.16mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

86-TSOP II

MT53B384M64D4NH-062 WT ES:B

Micron Technology Inc.

Produttore

Micron Technology Inc.

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

DRAM

Tecnologia

SDRAM - Mobile LPDDR4

Dimensione della memoria

24Gb (384M x 64)

Interfaccia di memoria

-

Frequenza di clock

1600MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

1.1V

Temperatura di esercizio

-30°C ~ 85°C (TC)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

272-WFBGA

Pacchetto dispositivo fornitore

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