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IS64WV5128BLL-10CTLA3-TR

IS64WV5128BLL-10CTLA3-TR

Solo per riferimento

Numero parte IS64WV5128BLL-10CTLA3-TR
PNEDA Part # IS64WV5128BLL-10CTLA3-TR
Descrizione IC SRAM 4M PARALLEL 44TSOP II
Produttore ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 4.266
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata feb 20 - feb 25 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

IS64WV5128BLL-10CTLA3-TR Risorse

Brand ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteIS64WV5128BLL-10CTLA3-TR
CategoriaSemiconduttoriCircuiti integrati di memoriaMemoria
Datasheet
IS64WV5128BLL-10CTLA3-TR, IS64WV5128BLL-10CTLA3-TR Datasheet (Totale pagine: 25, Dimensioni: 545,11 KB)
PDFIS61WV5128BLS-25TLI-TR Datasheet Copertura
IS61WV5128BLS-25TLI-TR Datasheet Pagina 2 IS61WV5128BLS-25TLI-TR Datasheet Pagina 3 IS61WV5128BLS-25TLI-TR Datasheet Pagina 4 IS61WV5128BLS-25TLI-TR Datasheet Pagina 5 IS61WV5128BLS-25TLI-TR Datasheet Pagina 6 IS61WV5128BLS-25TLI-TR Datasheet Pagina 7 IS61WV5128BLS-25TLI-TR Datasheet Pagina 8 IS61WV5128BLS-25TLI-TR Datasheet Pagina 9 IS61WV5128BLS-25TLI-TR Datasheet Pagina 10 IS61WV5128BLS-25TLI-TR Datasheet Pagina 11

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  • IS64WV5128BLL-10CTLA3-TR Distributor

IS64WV5128BLL-10CTLA3-TR Specifiche

ProduttoreISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie-
Tipo di memoriaVolatile
Formato memoriaSRAM
TecnologiaSRAM - Asynchronous
Dimensione della memoria4Mb (512K x 8)
Interfaccia di memoriaParallel
Frequenza di clock-
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina10ns
Tempo di accesso10ns
Tensione - Alimentazione2.4V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio-40°C ~ 125°C (TA)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore44-TSOP II

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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Produttore

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

DRAM

Tecnologia

SDRAM - DDR2

Dimensione della memoria

1Gb (128M x 8)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

333MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

15ns

Tempo di accesso

450ps

Tensione - Alimentazione

1.7V ~ 1.9V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

60-TFBGA

Pacchetto dispositivo fornitore

60-TWBGA (8x10.5)

SST25WF020AT-40I/CS

Microchip Technology

Produttore

Microchip Technology

Serie

SST25

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

FLASH

Tecnologia

FLASH

Dimensione della memoria

2Mb (256K x 8)

Interfaccia di memoria

SPI

Frequenza di clock

40MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

3.5ms

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

1.65V ~ 1.95V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-UFBGA, CSPBGA

Pacchetto dispositivo fornitore

8-CSP

AT27C516-55JI

Microchip Technology

Produttore

Microchip Technology

Serie

-

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

EPROM

Tecnologia

EPROM - OTP

Dimensione della memoria

512Kb (32K x 16)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

55ns

Tensione - Alimentazione

4.5V ~ 5.5V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TC)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

44-LCC (J-Lead)

Pacchetto dispositivo fornitore

44-PLCC (16.6x16.6)

IS45S32800J-6TLA1

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Produttore

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

DRAM

Tecnologia

SDRAM

Dimensione della memoria

256Mb (32M x 8)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

166MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

5.4ns

Tensione - Alimentazione

3V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

86-TFSOP (0.400", 10.16mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

86-TSOP II

AS4C32M32MD1-5BINTR

Alliance Memory, Inc.

Produttore

Alliance Memory, Inc.

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

DRAM

Tecnologia

SDRAM - Mobile LPDDR

Dimensione della memoria

1Gb (32M x 32)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

200MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

15ns

Tempo di accesso

5ns

Tensione - Alimentazione

1.7V ~ 1.9V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

90-VFBGA

Pacchetto dispositivo fornitore

90-FBGA (8x13)

Venduto di recente

7V24000002

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