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IS64LF25636A-7.5TQLA3

IS64LF25636A-7.5TQLA3

Solo per riferimento

Numero parte IS64LF25636A-7.5TQLA3
PNEDA Part # IS64LF25636A-7-5TQLA3
Descrizione IC SRAM 9M PARALLEL 100LQFP
Produttore ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 6.228
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata dic 1 - dic 6 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

IS64LF25636A-7.5TQLA3 Risorse

Brand ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteIS64LF25636A-7.5TQLA3
CategoriaSemiconduttoriCircuiti integrati di memoriaMemoria
Datasheet
IS64LF25636A-7.5TQLA3, IS64LF25636A-7.5TQLA3 Datasheet (Totale pagine: 32, Dimensioni: 502,23 KB)
PDFIS64LF25636A-7.5TQLA3 Datasheet Copertura
IS64LF25636A-7.5TQLA3 Datasheet Pagina 2 IS64LF25636A-7.5TQLA3 Datasheet Pagina 3 IS64LF25636A-7.5TQLA3 Datasheet Pagina 4 IS64LF25636A-7.5TQLA3 Datasheet Pagina 5 IS64LF25636A-7.5TQLA3 Datasheet Pagina 6 IS64LF25636A-7.5TQLA3 Datasheet Pagina 7 IS64LF25636A-7.5TQLA3 Datasheet Pagina 8 IS64LF25636A-7.5TQLA3 Datasheet Pagina 9 IS64LF25636A-7.5TQLA3 Datasheet Pagina 10 IS64LF25636A-7.5TQLA3 Datasheet Pagina 11

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IS64LF25636A-7.5TQLA3 Specifiche

ProduttoreISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie-
Tipo di memoriaVolatile
Formato memoriaSRAM
TecnologiaSRAM - Synchronous, SDR
Dimensione della memoria9Mb (256K x 36)
Interfaccia di memoriaParallel
Frequenza di clock117MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina-
Tempo di accesso7.5ns
Tensione - Alimentazione3.135V ~ 3.465V
Temperatura di esercizio-40°C ~ 125°C (TA)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia100-LQFP
Pacchetto dispositivo fornitore100-LQFP (14x20)

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Cypress Semiconductor

Produttore

Cypress Semiconductor Corp

Serie

NoBL™

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

SRAM

Tecnologia

SRAM - Synchronous, SDR

Dimensione della memoria

72Mb (1M x 72)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

167MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

3.4ns

Tensione - Alimentazione

3.135V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 70°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

209-BGA

Pacchetto dispositivo fornitore

209-FBGA (14x22)

RM25C64C-LTAI-T

Adesto Technologies

Produttore

Adesto Technologies

Serie

Mavriq™

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

CBRAM®

Tecnologia

CBRAM

Dimensione della memoria

64kb (32B Page Size)

Interfaccia di memoria

SPI

Frequenza di clock

10MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

100µs, 5ms

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

1.65V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

8-TSSOP

MR0A08BCYS35

Everspin Technologies Inc.

Produttore

Everspin Technologies Inc.

Serie

-

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

RAM

Tecnologia

MRAM (Magnetoresistive RAM)

Dimensione della memoria

1Mb (128K x 8)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

35ns

Tempo di accesso

35ns

Tensione - Alimentazione

3V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

44-TSOP2

24C02C-I/SN

Microchip Technology

Produttore

Microchip Technology

Serie

-

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

EEPROM

Tecnologia

EEPROM

Dimensione della memoria

2Kb (256 x 8)

Interfaccia di memoria

I²C

Frequenza di clock

400kHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

1ms

Tempo di accesso

900ns

Tensione - Alimentazione

4.5V ~ 5.5V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

8-SOIC

IS43DR16128C-25DBLI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Produttore

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

DRAM

Tecnologia

SDRAM - DDR2

Dimensione della memoria

2Gb (128M x 16)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

400MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

15ns

Tempo di accesso

400ns

Tensione - Alimentazione

1.7V ~ 1.9V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

84-TFBGA

Pacchetto dispositivo fornitore

84-TWBGA (8x12.5)

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