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IS62WV5128DALL-55TLI

IS62WV5128DALL-55TLI

Solo per riferimento

Numero parte IS62WV5128DALL-55TLI
PNEDA Part # IS62WV5128DALL-55TLI
Descrizione IC SRAM 4M PARALLEL 32TSOP II
Produttore ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 7.704
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata apr 13 - apr 18 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

IS62WV5128DALL-55TLI Risorse

Brand ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteIS62WV5128DALL-55TLI
CategoriaSemiconduttoriCircuiti integrati di memoriaMemoria
Datasheet
IS62WV5128DALL-55TLI, IS62WV5128DALL-55TLI Datasheet (Totale pagine: 18, Dimensioni: 483,13 KB)
PDFIS62WV5128DBLL-45BI-TR Datasheet Copertura
IS62WV5128DBLL-45BI-TR Datasheet Pagina 2 IS62WV5128DBLL-45BI-TR Datasheet Pagina 3 IS62WV5128DBLL-45BI-TR Datasheet Pagina 4 IS62WV5128DBLL-45BI-TR Datasheet Pagina 5 IS62WV5128DBLL-45BI-TR Datasheet Pagina 6 IS62WV5128DBLL-45BI-TR Datasheet Pagina 7 IS62WV5128DBLL-45BI-TR Datasheet Pagina 8 IS62WV5128DBLL-45BI-TR Datasheet Pagina 9 IS62WV5128DBLL-45BI-TR Datasheet Pagina 10 IS62WV5128DBLL-45BI-TR Datasheet Pagina 11

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IS62WV5128DALL-55TLI Specifiche

ProduttoreISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie-
Tipo di memoriaVolatile
Formato memoriaSRAM
TecnologiaSRAM - Asynchronous
Dimensione della memoria4Mb (512K x 8)
Interfaccia di memoriaParallel
Frequenza di clock-
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina55ns
Tempo di accesso55ns
Tensione - Alimentazione1.65V ~ 2.2V
Temperatura di esercizio-40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia32-SOIC (0.400", 10.16mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore32-TSOP II

I prodotti a cui potresti essere interessato

IS42S32200C1-7TL-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Produttore

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

DRAM

Tecnologia

SDRAM

Dimensione della memoria

64Mb (2M x 32)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

143MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

5.5ns

Tensione - Alimentazione

3.15V ~ 3.45V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 70°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

86-TFSOP (0.400", 10.16mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

86-TSOP II

SM668PEA-AC

Silicon Motion, Inc.

Produttore

Silicon Motion, Inc.

Serie

*

Tipo di memoria

-

Formato memoria

-

Tecnologia

-

Dimensione della memoria

-

Interfaccia di memoria

-

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

-

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

-

Pacchetto / Custodia

-

Pacchetto dispositivo fornitore

-

IDT71V3556S150BG8

IDT, Integrated Device Technology

Produttore

IDT, Integrated Device Technology Inc

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

SRAM

Tecnologia

SRAM - Synchronous, SDR (ZBT)

Dimensione della memoria

4.5Mb (128K x 36)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

150MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

3.8ns

Tensione - Alimentazione

3.135V ~ 3.465V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 70°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

119-BGA

Pacchetto dispositivo fornitore

119-PBGA (14x22)

MTFC16GJVEC-2M WT TR

Micron Technology Inc.

Produttore

Micron Technology Inc.

Serie

e•MMC™

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

FLASH

Tecnologia

FLASH - NAND

Dimensione della memoria

128Gb (16G x 8)

Interfaccia di memoria

MMC

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

2.7V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

-25°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

169-VFBGA

Pacchetto dispositivo fornitore

169-VFBGA

MT46H16M32LFB5-6 AIT:C TR

Micron Technology Inc.

Produttore

Micron Technology Inc.

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

DRAM

Tecnologia

SDRAM - Mobile LPDDR

Dimensione della memoria

512Mb (16M x 32)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

166MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

15ns

Tempo di accesso

5.0ns

Tensione - Alimentazione

1.7V ~ 1.95V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

90-VFBGA

Pacchetto dispositivo fornitore

90-VFBGA (8x13)

Venduto di recente

ADM2587EBRWZ

ADM2587EBRWZ

Analog Devices

DGTL ISO RS422/RS485 20SOIC

LTST-C190KRKT

LTST-C190KRKT

Lite-On Inc.

LED RED CLEAR CHIP SMD

MT41J128M16HA-15E:D

MT41J128M16HA-15E:D

Micron Technology Inc.

IC DRAM 2G PARALLEL 96FBGA

1N4004GP-E3/54

1N4004GP-E3/54

Vishay Semiconductor Diodes Division

DIODE GEN PURP 400V 1A DO204AL

IRFR5305TRPBF

IRFR5305TRPBF

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MOSFET P-CH 55V 31A DPAK

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NL453232T-102J-PF

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TDK

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IHLP2525CZERR10M01

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MAX3491ESD+T

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