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IS62WV5128BLL-55BI

IS62WV5128BLL-55BI

Solo per riferimento

Numero parte IS62WV5128BLL-55BI
PNEDA Part # IS62WV5128BLL-55BI
Descrizione IC SRAM 4M PARALLEL 36MINIBGA
Produttore ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 3.526
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata mar 31 - apr 5 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

IS62WV5128BLL-55BI Risorse

Brand ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteIS62WV5128BLL-55BI
CategoriaSemiconduttoriCircuiti integrati di memoriaMemoria
Datasheet
IS62WV5128BLL-55BI, IS62WV5128BLL-55BI Datasheet (Totale pagine: 17, Dimensioni: 280,72 KB)
PDFIS62WV5128BLL-55T2I-TR Datasheet Copertura
IS62WV5128BLL-55T2I-TR Datasheet Pagina 2 IS62WV5128BLL-55T2I-TR Datasheet Pagina 3 IS62WV5128BLL-55T2I-TR Datasheet Pagina 4 IS62WV5128BLL-55T2I-TR Datasheet Pagina 5 IS62WV5128BLL-55T2I-TR Datasheet Pagina 6 IS62WV5128BLL-55T2I-TR Datasheet Pagina 7 IS62WV5128BLL-55T2I-TR Datasheet Pagina 8 IS62WV5128BLL-55T2I-TR Datasheet Pagina 9 IS62WV5128BLL-55T2I-TR Datasheet Pagina 10 IS62WV5128BLL-55T2I-TR Datasheet Pagina 11

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IS62WV5128BLL-55BI Specifiche

ProduttoreISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie-
Tipo di memoriaVolatile
Formato memoriaSRAM
TecnologiaSRAM - Asynchronous
Dimensione della memoria4Mb (512K x 8)
Interfaccia di memoriaParallel
Frequenza di clock-
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina55ns
Tempo di accesso55ns
Tensione - Alimentazione2.5V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio-40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia36-TFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore36-TFBGA (6x8)

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Produttore

Rohm Semiconductor

Serie

Automotive, AEC-Q100

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

EEPROM

Tecnologia

EEPROM

Dimensione della memoria

8Kb (1K x 8)

Interfaccia di memoria

SPI

Frequenza di clock

10MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

4ms

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

2.5V ~ 5.5V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 125°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

8-TSSOP-B

7164L55TDB

IDT, Integrated Device Technology

Produttore

IDT, Integrated Device Technology Inc

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

SRAM

Tecnologia

SRAM - Asynchronous

Dimensione della memoria

64Kb (8K x 8)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

55ns

Tempo di accesso

55ns

Tensione - Alimentazione

4.5V ~ 5.5V

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 125°C (TA)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

28-CDIP (0.300", 7.62mm)

Pacchetto dispositivo fornitore

28-CDIP

71V321S35J

IDT, Integrated Device Technology

Produttore

IDT, Integrated Device Technology Inc

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

SRAM

Tecnologia

SRAM - Dual Port, Asynchronous

Dimensione della memoria

16Kb (2K x 8)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

35ns

Tempo di accesso

35ns

Tensione - Alimentazione

3V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 70°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

52-LCC (J-Lead)

Pacchetto dispositivo fornitore

52-PLCC (19.13x19.13)

IS42S32400D-7BI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Produttore

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

DRAM

Tecnologia

SDRAM

Dimensione della memoria

128Mb (4M x 32)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

143MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

5.4ns

Tensione - Alimentazione

3V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

90-TFBGA

Pacchetto dispositivo fornitore

90-TFBGA (8x13)

MT41K256M16TW-107 AUT:P

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Produttore

Micron Technology Inc.

Serie

Automotive, AEC-Q100

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

DRAM

Tecnologia

SDRAM - DDR3L

Dimensione della memoria

4Gb (256M x 16)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

933MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

20ns

Tensione - Alimentazione

1.283V ~ 1.45V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 125°C (TC)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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Pacchetto dispositivo fornitore

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