IS62WV12816BLL-55B2LI
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| Numero parte | IS62WV12816BLL-55B2LI |
| PNEDA Part # | IS62WV12816BLL-55B2LI |
| Descrizione | IC SRAM 2M PARALLEL 48MINIBGA |
| Produttore | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 5.130 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | apr 2 - apr 7 (Scegli Spedizione rapida) |
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IS62WV12816BLL-55B2LI Risorse
| Brand | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | IS62WV12816BLL-55B2LI |
| Categoria | Semiconduttori › Circuiti integrati di memoria › Memoria |
| Datasheet |
IS62WV12816BLL-55B2LI, IS62WV12816BLL-55B2LI Datasheet
(Totale pagine: 17, Dimensioni: 588,78 KB)
  
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IS62WV12816BLL-55B2LI Specifiche
| Produttore | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc |
| Serie | - |
| Tipo di memoria | Volatile |
| Formato memoria | SRAM |
| Tecnologia | SRAM - Asynchronous |
| Dimensione della memoria | 2Mb (128K x 16) |
| Interfaccia di memoria | Parallel |
| Frequenza di clock | - |
| Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina | 55ns |
| Tempo di accesso | 55ns |
| Tensione - Alimentazione | 2.5V ~ 3.6V |
| Temperatura di esercizio | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / Custodia | 48-TFBGA |
| Pacchetto dispositivo fornitore | 48-miniBGA (6x8) |
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Produttore Microchip Technology Serie - Tipo di memoria Non-Volatile Formato memoria EEPROM Tecnologia EEPROM Dimensione della memoria 128b (16 x 8) Interfaccia di memoria I²C Frequenza di clock 400kHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina 4ms Tempo di accesso 3500ns Tensione - Alimentazione 1.8V ~ 5.5V Temperatura di esercizio 0°C ~ 70°C (TA) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia Die Pacchetto dispositivo fornitore Die |
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