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IS61WV51216EEBLL-10B2LI-TR

IS61WV51216EEBLL-10B2LI-TR

Solo per riferimento

Numero parte IS61WV51216EEBLL-10B2LI-TR
PNEDA Part # IS61WV51216EEBLL-10B2LI-TR
Descrizione IC SRAM 8M PARALLEL 48TFBGA
Produttore ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 2.178
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata apr 9 - apr 14 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

IS61WV51216EEBLL-10B2LI-TR Risorse

Brand ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteIS61WV51216EEBLL-10B2LI-TR
CategoriaSemiconduttoriCircuiti integrati di memoriaMemoria
Datasheet
IS61WV51216EEBLL-10B2LI-TR, IS61WV51216EEBLL-10B2LI-TR Datasheet (Totale pagine: 20, Dimensioni: 866,18 KB)
PDFIS61WV51216EEBLL-10TLI Datasheet Copertura
IS61WV51216EEBLL-10TLI Datasheet Pagina 2 IS61WV51216EEBLL-10TLI Datasheet Pagina 3 IS61WV51216EEBLL-10TLI Datasheet Pagina 4 IS61WV51216EEBLL-10TLI Datasheet Pagina 5 IS61WV51216EEBLL-10TLI Datasheet Pagina 6 IS61WV51216EEBLL-10TLI Datasheet Pagina 7 IS61WV51216EEBLL-10TLI Datasheet Pagina 8 IS61WV51216EEBLL-10TLI Datasheet Pagina 9 IS61WV51216EEBLL-10TLI Datasheet Pagina 10 IS61WV51216EEBLL-10TLI Datasheet Pagina 11

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  • IS61WV51216EEBLL-10B2LI-TR Distributor

IS61WV51216EEBLL-10B2LI-TR Specifiche

ProduttoreISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie-
Tipo di memoriaVolatile
Formato memoriaSRAM
TecnologiaSRAM - Asynchronous
Dimensione della memoria8Mb (512K x 16)
Interfaccia di memoriaParallel
Frequenza di clock-
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina10ns
Tempo di accesso10ns
Tensione - Alimentazione2.4V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio-40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia48-TFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore48-TFBGA (6x8)

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IDT, Integrated Device Technology

Produttore

IDT, Integrated Device Technology Inc

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

SRAM

Tecnologia

SRAM - Dual Port, Asynchronous

Dimensione della memoria

9Mb (256K x 36)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

15ns

Tempo di accesso

15ns

Tensione - Alimentazione

2.4V ~ 2.6V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 70°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

208-BFQFP

Pacchetto dispositivo fornitore

208-PQFP (28x28)

7054L25PRFI8

IDT, Integrated Device Technology

Produttore

IDT, Integrated Device Technology Inc

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

SRAM

Tecnologia

SRAM - Quad Port, Asynchronous

Dimensione della memoria

32Kb (4K x 8)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

25ns

Tempo di accesso

25ns

Tensione - Alimentazione

4.5V ~ 5.5V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

128-LQFP

Pacchetto dispositivo fornitore

128-TQFP (14x20)

BR24G256FV-3AGTE2

Rohm Semiconductor

Produttore

Rohm Semiconductor

Serie

-

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

EEPROM

Tecnologia

EEPROM

Dimensione della memoria

256Kb (32K x 8)

Interfaccia di memoria

I²C

Frequenza di clock

1MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

5ms

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

1.7V ~ 5.5V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-LSSOP (0.173", 4.40mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

8-SSOPB

M25P80-VMP6TG TR

Micron Technology Inc.

Produttore

Micron Technology Inc.

Serie

-

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

FLASH

Tecnologia

FLASH - NOR

Dimensione della memoria

8Mb (1M x 8)

Interfaccia di memoria

SPI

Frequenza di clock

75MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

15ms, 5ms

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

2.7V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-VDFN Exposed Pad

Pacchetto dispositivo fornitore

8-VDFPN (6x5) (MLP8)

7140LA25PFI8

IDT, Integrated Device Technology

Produttore

IDT, Integrated Device Technology Inc

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

SRAM

Tecnologia

SRAM - Dual Port, Asynchronous

Dimensione della memoria

8Kb (1K x 8)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

25ns

Tempo di accesso

25ns

Tensione - Alimentazione

4.5V ~ 5.5V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

64-LQFP

Pacchetto dispositivo fornitore

64-TQFP (14x14)

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