IS61VPD102418A-200B3-TR
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| Numero parte | IS61VPD102418A-200B3-TR |
| PNEDA Part # | IS61VPD102418A-200B3-TR |
| Descrizione | IC SRAM 18M PARALLEL 165PBGA |
| Produttore | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 8.028 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | feb 20 - feb 25 (Scegli Spedizione rapida) |
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IS61VPD102418A-200B3-TR Risorse
| Brand | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | IS61VPD102418A-200B3-TR |
| Categoria | Semiconduttori › Circuiti integrati di memoria › Memoria |
| Datasheet |
IS61VPD102418A-200B3-TR, IS61VPD102418A-200B3-TR Datasheet
(Totale pagine: 29, Dimensioni: 552,91 KB)
  
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IS61VPD102418A-200B3-TR Specifiche
| Produttore | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc |
| Serie | - |
| Tipo di memoria | Volatile |
| Formato memoria | SRAM |
| Tecnologia | SRAM - Quad Port, Synchronous |
| Dimensione della memoria | 18Mb (1M x 18) |
| Interfaccia di memoria | Parallel |
| Frequenza di clock | 200MHz |
| Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina | - |
| Tempo di accesso | 3.1ns |
| Tensione - Alimentazione | 2.375V ~ 2.625V |
| Temperatura di esercizio | 0°C ~ 70°C (TA) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / Custodia | 165-TBGA |
| Pacchetto dispositivo fornitore | 165-PBGA (13x15) |
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Produttore ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie * Tipo di memoria - Formato memoria - Tecnologia - Dimensione della memoria - Interfaccia di memoria - Frequenza di clock - Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina - Tempo di accesso - Tensione - Alimentazione - Temperatura di esercizio - Tipo di montaggio - Pacchetto / Custodia - Pacchetto dispositivo fornitore - |
Produttore Microchip Technology Serie - Tipo di memoria Non-Volatile Formato memoria EEPROM Tecnologia EEPROM Dimensione della memoria 4Kb (256 x 16) Interfaccia di memoria SPI Frequenza di clock 2MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina 6ms Tempo di accesso - Tensione - Alimentazione 1.8V ~ 5.5V Temperatura di esercizio -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore 8-MSOP |
Produttore Micron Technology Inc. Serie - Tipo di memoria Non-Volatile Formato memoria FLASH Tecnologia FLASH - NAND Dimensione della memoria 8Gb (1G x 8) Interfaccia di memoria Parallel Frequenza di clock - Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina - Tempo di accesso - Tensione - Alimentazione 2.7V ~ 3.6V Temperatura di esercizio 0°C ~ 70°C (TA) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore 48-TSOP |
Produttore GigaDevice Semiconductor (HK) Limited Serie - Tipo di memoria Non-Volatile Formato memoria FLASH Tecnologia FLASH - NOR Dimensione della memoria 8Mb (1M x 8) Interfaccia di memoria SPI - Dual I/O Frequenza di clock 50MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina 60µs, 6ms Tempo di accesso - Tensione - Alimentazione 1.65V ~ 2V Temperatura di esercizio -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 8-SOIC (0.209", 5.30mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore 8-SOP |
Produttore Microchip Technology Serie - Tipo di memoria Non-Volatile Formato memoria EEPROM Tecnologia EEPROM Dimensione della memoria 128Kb (16K x 8) Interfaccia di memoria I²C Frequenza di clock 1MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina 5ms Tempo di accesso 400ns Tensione - Alimentazione 1.7V ~ 5.5V Temperatura di esercizio -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore 8-SOIC |
