IS61QDB22M18-250M3
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| Numero parte | IS61QDB22M18-250M3 | ||||||||||||||||||
| PNEDA Part # | IS61QDB22M18-250M3 | ||||||||||||||||||
| Descrizione | IC SRAM 36M PARALLEL 165LFBGA | ||||||||||||||||||
| Produttore | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | ||||||||||||||||||
| Prezzo unitario |
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| Disponibile | 72 | ||||||||||||||||||
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR | ||||||||||||||||||
| Consegna stimata | apr 9 - apr 14 (Scegli Spedizione rapida) | ||||||||||||||||||
| Guarantee | Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] * | ||||||||||||||||||
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IS61QDB22M18-250M3 Risorse
| Brand | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | IS61QDB22M18-250M3 |
| Categoria | Semiconduttori › Circuiti integrati di memoria › Memoria |
| Datasheet |
IS61QDB22M18-250M3, IS61QDB22M18-250M3 Datasheet
(Totale pagine: 27, Dimensioni: 649,98 KB)
  
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IS61QDB22M18-250M3 Specifiche
| Produttore | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc |
| Serie | - |
| Tipo di memoria | Volatile |
| Formato memoria | SRAM |
| Tecnologia | SRAM - Synchronous, QUAD |
| Dimensione della memoria | 36Mb (2M x 18) |
| Interfaccia di memoria | Parallel |
| Frequenza di clock | 250MHz |
| Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina | - |
| Tempo di accesso | 7.5ns |
| Tensione - Alimentazione | 1.71V ~ 1.89V |
| Temperatura di esercizio | 0°C ~ 70°C (TA) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / Custodia | 165-LBGA |
| Pacchetto dispositivo fornitore | 165-LFBGA (15x17) |
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Produttore Cypress Semiconductor Corp Serie - Tipo di memoria Non-Volatile Formato memoria NVSRAM Tecnologia NVSRAM (Non-Volatile SRAM) Dimensione della memoria 16Kb (2K x 8) Interfaccia di memoria Parallel Frequenza di clock - Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina 25ns Tempo di accesso 25ns Tensione - Alimentazione 4.5V ~ 5.5V Temperatura di esercizio 0°C ~ 70°C (TA) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 28-SOIC (0.295", 7.50mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore 28-SOIC |
Produttore Cypress Semiconductor Corp Serie - Tipo di memoria Volatile Formato memoria SRAM Tecnologia SRAM - Asynchronous Dimensione della memoria 16Mb (2M x 8) Interfaccia di memoria Parallel Frequenza di clock - Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina 10ns Tempo di accesso 10ns Tensione - Alimentazione 3V ~ 3.6V Temperatura di esercizio 0°C ~ 70°C (TA) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore 54-TSOP II |
Produttore Cypress Semiconductor Corp Serie FS-S Tipo di memoria Non-Volatile Formato memoria FLASH Tecnologia FLASH - NOR Dimensione della memoria 64Mb (8M x 8) Interfaccia di memoria SPI - Quad I/O, QPI Frequenza di clock 133MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina - Tempo di accesso - Tensione - Alimentazione 1.7V ~ 2V Temperatura di esercizio -40°C ~ 105°C (TA) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 8-SOIC (0.209", 5.30mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore 8-SOIC |
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