IS61NVP51236-200B3LI
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| Numero parte | IS61NVP51236-200B3LI |
| PNEDA Part # | IS61NVP51236-200B3LI |
| Descrizione | IC SRAM 18M PARALLEL 165TFBGA |
| Produttore | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 6.030 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | nov 25 - nov 30 (Scegli Spedizione rapida) |
| Guarantee | Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] * |
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IS61NVP51236-200B3LI Risorse
| Brand | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | IS61NVP51236-200B3LI |
| Categoria | Semiconduttori › Circuiti integrati di memoria › Memoria |
| Datasheet |
IS61NVP51236-200B3LI, IS61NVP51236-200B3LI Datasheet
(Totale pagine: 37, Dimensioni: 642,05 KB)
  
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IS61NVP51236-200B3LI Specifiche
| Produttore | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc |
| Serie | - |
| Tipo di memoria | Volatile |
| Formato memoria | SRAM |
| Tecnologia | SRAM - Synchronous, SDR |
| Dimensione della memoria | 18Mb (512K x 36) |
| Interfaccia di memoria | Parallel |
| Frequenza di clock | 200MHz |
| Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina | - |
| Tempo di accesso | 3.1ns |
| Tensione - Alimentazione | 2.375V ~ 2.625V |
| Temperatura di esercizio | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / Custodia | 165-TBGA |
| Pacchetto dispositivo fornitore | 165-TFBGA (13x15) |
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Produttore Cypress Semiconductor Corp Serie * Tipo di memoria - Formato memoria - Tecnologia - Dimensione della memoria - Interfaccia di memoria - Frequenza di clock - Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina - Tempo di accesso - Tensione - Alimentazione - Temperatura di esercizio - Tipo di montaggio - Pacchetto / Custodia - Pacchetto dispositivo fornitore - |
Produttore Rohm Semiconductor Serie - Tipo di memoria Non-Volatile Formato memoria EEPROM Tecnologia EEPROM Dimensione della memoria 128Kb (16K x 8) Interfaccia di memoria I²C Frequenza di clock 400kHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina 5ms Tempo di accesso - Tensione - Alimentazione 1.6V ~ 5.5V Temperatura di esercizio -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto / Custodia 8-DIP (0.300", 7.62mm) Pacchetto dispositivo fornitore 8-DIP-T |
Produttore Cypress Semiconductor Corp Serie CL-J Tipo di memoria Non-Volatile Formato memoria FLASH Tecnologia FLASH - NOR Dimensione della memoria 32Mb (1M x 32) Interfaccia di memoria Parallel Frequenza di clock 66MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina 60ns Tempo di accesso 54ns Tensione - Alimentazione 1.65V ~ 3.6V Temperatura di esercizio -40°C ~ 125°C (TA) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 80-LBGA Pacchetto dispositivo fornitore 80-FBGA (13x11) |
Produttore Microchip Technology Serie - Tipo di memoria Non-Volatile Formato memoria EEPROM Tecnologia EEPROM Dimensione della memoria 1Mb (128K x 8) Interfaccia di memoria I²C Frequenza di clock 400kHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina 5ms Tempo di accesso 900ns Tensione - Alimentazione 1.7V ~ 5.5V Temperatura di esercizio -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore 8-TSSOP |
Produttore Cypress Semiconductor Corp Serie AS-J Tipo di memoria Non-Volatile Formato memoria FLASH Tecnologia FLASH - NOR Dimensione della memoria 8Mb (1M x 8, 512K x 16) Interfaccia di memoria Parallel Frequenza di clock - Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina 70ns Tempo di accesso 70ns Tensione - Alimentazione 1.65V ~ 1.95V Temperatura di esercizio -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore 48-TSOP |
