IS61NVP102418-200B3I
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| Numero parte | IS61NVP102418-200B3I |
| PNEDA Part # | IS61NVP102418-200B3I |
| Descrizione | IC SRAM 18M PARALLEL 165TFBGA |
| Produttore | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 8.748 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | nov 27 - dic 2 (Scegli Spedizione rapida) |
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IS61NVP102418-200B3I Risorse
| Brand | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | IS61NVP102418-200B3I |
| Categoria | Semiconduttori › Circuiti integrati di memoria › Memoria |
| Datasheet |
IS61NVP102418-200B3I, IS61NVP102418-200B3I Datasheet
(Totale pagine: 37, Dimensioni: 642,05 KB)
  
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IS61NVP102418-200B3I Specifiche
| Produttore | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc |
| Serie | - |
| Tipo di memoria | Volatile |
| Formato memoria | SRAM |
| Tecnologia | SRAM - Synchronous, SDR |
| Dimensione della memoria | 18Mb (1M x 18) |
| Interfaccia di memoria | Parallel |
| Frequenza di clock | 200MHz |
| Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina | - |
| Tempo di accesso | 3.1ns |
| Tensione - Alimentazione | 2.375V ~ 2.625V |
| Temperatura di esercizio | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / Custodia | 165-TBGA |
| Pacchetto dispositivo fornitore | 165-TFBGA (13x15) |
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Produttore ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie - Tipo di memoria Volatile Formato memoria DRAM Tecnologia SDRAM - DDR3 Dimensione della memoria 2Gb (128M x 16) Interfaccia di memoria Parallel Frequenza di clock 667MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina 15ns Tempo di accesso 20ns Tensione - Alimentazione 1.425V ~ 1.575V Temperatura di esercizio -40°C ~ 95°C (TC) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 96-TFBGA Pacchetto dispositivo fornitore 96-TWBGA (9x13) |
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