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IS61NLF25636A-7.5B2I

IS61NLF25636A-7.5B2I

Solo per riferimento

Numero parte IS61NLF25636A-7.5B2I
PNEDA Part # IS61NLF25636A-7-5B2I
Descrizione IC SRAM 9M PARALLEL 119PBGA
Produttore ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 2.592
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata mar 31 - apr 5 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

IS61NLF25636A-7.5B2I Risorse

Brand ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteIS61NLF25636A-7.5B2I
CategoriaSemiconduttoriCircuiti integrati di memoriaMemoria
Datasheet
IS61NLF25636A-7.5B2I, IS61NLF25636A-7.5B2I Datasheet (Totale pagine: 37, Dimensioni: 574,12 KB)
PDFIS61NLF25636A-7.5B2I-TR Datasheet Copertura
IS61NLF25636A-7.5B2I-TR Datasheet Pagina 2 IS61NLF25636A-7.5B2I-TR Datasheet Pagina 3 IS61NLF25636A-7.5B2I-TR Datasheet Pagina 4 IS61NLF25636A-7.5B2I-TR Datasheet Pagina 5 IS61NLF25636A-7.5B2I-TR Datasheet Pagina 6 IS61NLF25636A-7.5B2I-TR Datasheet Pagina 7 IS61NLF25636A-7.5B2I-TR Datasheet Pagina 8 IS61NLF25636A-7.5B2I-TR Datasheet Pagina 9 IS61NLF25636A-7.5B2I-TR Datasheet Pagina 10 IS61NLF25636A-7.5B2I-TR Datasheet Pagina 11

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  • IS61NLF25636A-7.5B2I Distributor

IS61NLF25636A-7.5B2I Specifiche

ProduttoreISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie-
Tipo di memoriaVolatile
Formato memoriaSRAM
TecnologiaSRAM - Synchronous, SDR
Dimensione della memoria9Mb (256K x 36)
Interfaccia di memoriaParallel
Frequenza di clock117MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina-
Tempo di accesso7.5ns
Tensione - Alimentazione3.135V ~ 3.465V
Temperatura di esercizio-40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia119-BBGA
Pacchetto dispositivo fornitore119-PBGA (14x22)

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Produttore

Microchip Technology

Serie

-

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

EEPROM

Tecnologia

EEPROM

Dimensione della memoria

2Kb (256 x 8)

Interfaccia di memoria

SPI

Frequenza di clock

20MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

5ms

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

2.7V ~ 5.5V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

8-SOIC

IS61LF51236A-7.5B3I

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Produttore

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

SRAM

Tecnologia

SRAM - Synchronous, SDR

Dimensione della memoria

18Mb (512K x 36)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

117MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

7.5ns

Tensione - Alimentazione

3.135V ~ 3.465V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

165-TBGA

Pacchetto dispositivo fornitore

165-TFBGA (13x15)

CY7C1265KV18-400BZXC

Cypress Semiconductor

Produttore

Cypress Semiconductor Corp

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

SRAM

Tecnologia

SRAM - Synchronous, QDR II+

Dimensione della memoria

36Mb (1M x 36)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

400MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

1.7V ~ 1.9V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 70°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

165-LBGA

Pacchetto dispositivo fornitore

165-FBGA (13x15)

AT24C04C-CUM-T

Microchip Technology

Produttore

Microchip Technology

Serie

-

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

EEPROM

Tecnologia

EEPROM

Dimensione della memoria

4Kb (512 x 8)

Interfaccia di memoria

I²C

Frequenza di clock

1MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

5ms

Tempo di accesso

550ns

Tensione - Alimentazione

1.7V ~ 5.5V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-VFBGA

Pacchetto dispositivo fornitore

8-VFBGA (1.5x2)

AT24CS01-MAHM-T

Microchip Technology

Produttore

Microchip Technology

Serie

-

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

EEPROM

Tecnologia

EEPROM

Dimensione della memoria

1Kb (128 x 8)

Interfaccia di memoria

I²C

Frequenza di clock

1MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

5ms

Tempo di accesso

550ns

Tensione - Alimentazione

1.7V ~ 5.5V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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Pacchetto dispositivo fornitore

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