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IS61LF51236A-6.5B3I

IS61LF51236A-6.5B3I

Solo per riferimento

Numero parte IS61LF51236A-6.5B3I
PNEDA Part # IS61LF51236A-6-5B3I
Descrizione IC SRAM 18M PARALLEL 165TFBGA
Produttore ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 8.478
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata nov 27 - dic 2 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

IS61LF51236A-6.5B3I Risorse

Brand ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteIS61LF51236A-6.5B3I
CategoriaSemiconduttoriCircuiti integrati di memoriaMemoria
Datasheet
IS61LF51236A-6.5B3I, IS61LF51236A-6.5B3I Datasheet (Totale pagine: 35, Dimensioni: 298,4 KB)
PDFIS61VF51236A-7.5B3I Datasheet Copertura
IS61VF51236A-7.5B3I Datasheet Pagina 2 IS61VF51236A-7.5B3I Datasheet Pagina 3 IS61VF51236A-7.5B3I Datasheet Pagina 4 IS61VF51236A-7.5B3I Datasheet Pagina 5 IS61VF51236A-7.5B3I Datasheet Pagina 6 IS61VF51236A-7.5B3I Datasheet Pagina 7 IS61VF51236A-7.5B3I Datasheet Pagina 8 IS61VF51236A-7.5B3I Datasheet Pagina 9 IS61VF51236A-7.5B3I Datasheet Pagina 10 IS61VF51236A-7.5B3I Datasheet Pagina 11

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  • IS61LF51236A-6.5B3I Distributor

IS61LF51236A-6.5B3I Specifiche

ProduttoreISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie-
Tipo di memoriaVolatile
Formato memoriaSRAM
TecnologiaSRAM - Synchronous, SDR
Dimensione della memoria18Mb (512K x 36)
Interfaccia di memoriaParallel
Frequenza di clock133MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina-
Tempo di accesso6.5ns
Tensione - Alimentazione3.135V ~ 3.465V
Temperatura di esercizio-40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia165-TBGA
Pacchetto dispositivo fornitore165-TFBGA (13x15)

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IDT, Integrated Device Technology

Produttore

IDT, Integrated Device Technology Inc

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

SRAM

Tecnologia

SRAM - Dual Port, Asynchronous

Dimensione della memoria

64Kb (8K x 8)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

15ns

Tempo di accesso

15ns

Tensione - Alimentazione

4.5V ~ 5.5V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 70°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

68-LCC (J-Lead)

Pacchetto dispositivo fornitore

68-PLCC (24.21x24.21)

IDT71P72804S200BQ8

IDT, Integrated Device Technology

Produttore

IDT, Integrated Device Technology Inc

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

SRAM

Tecnologia

SRAM - Synchronous, QDR II

Dimensione della memoria

18Mb (1M x 18)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

200MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

7.88ns

Tensione - Alimentazione

1.7V ~ 1.9V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 70°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

165-TBGA

Pacchetto dispositivo fornitore

165-CABGA (13x15)

CY62148GN30-45SXIT

Cypress Semiconductor

Produttore

Cypress Semiconductor Corp

Serie

MoBL®

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

SRAM

Tecnologia

SRAM - Asynchronous

Dimensione della memoria

4Mb (512K x 8)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

45ns

Tempo di accesso

45ns

Tensione - Alimentazione

2.2V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

32-SOIC (0.400", 10.16mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

32-TSOP II

Produttore

Macronix

Serie

MXSMIO™

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

FLASH

Tecnologia

FLASH - NOR

Dimensione della memoria

256Mb (32M x 8)

Interfaccia di memoria

SPI

Frequenza di clock

120MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

30µs, 750µs

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

2.7V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

24-TBGA, CSPBGA

Pacchetto dispositivo fornitore

24-CSPBGA (6x8)

MT41K2G4RKB-107:N

Micron Technology Inc.

Produttore

Micron Technology Inc.

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

DRAM

Tecnologia

SDRAM - DDR3L

Dimensione della memoria

8Gb (2G x 4)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

933MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

20ns

Tensione - Alimentazione

1.283V ~ 1.45V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 95°C (TC)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

78-TFBGA

Pacchetto dispositivo fornitore

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