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IS61LF204836B-7.5TQLI

IS61LF204836B-7.5TQLI

Solo per riferimento

Numero parte IS61LF204836B-7.5TQLI
PNEDA Part # IS61LF204836B-7-5TQLI
Descrizione IC SRAM 72M PARALLEL 100LQFP
Produttore ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 2.214
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
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Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

IS61LF204836B-7.5TQLI Risorse

Brand ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteIS61LF204836B-7.5TQLI
CategoriaSemiconduttoriCircuiti integrati di memoriaMemoria
Datasheet
IS61LF204836B-7.5TQLI, IS61LF204836B-7.5TQLI Datasheet (Totale pagine: 35, Dimensioni: 3.452,84 KB)
PDFIS61VVF409618B-7.5TQL Datasheet Copertura
IS61VVF409618B-7.5TQL Datasheet Pagina 2 IS61VVF409618B-7.5TQL Datasheet Pagina 3 IS61VVF409618B-7.5TQL Datasheet Pagina 4 IS61VVF409618B-7.5TQL Datasheet Pagina 5 IS61VVF409618B-7.5TQL Datasheet Pagina 6 IS61VVF409618B-7.5TQL Datasheet Pagina 7 IS61VVF409618B-7.5TQL Datasheet Pagina 8 IS61VVF409618B-7.5TQL Datasheet Pagina 9 IS61VVF409618B-7.5TQL Datasheet Pagina 10 IS61VVF409618B-7.5TQL Datasheet Pagina 11

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  • IS61LF204836B-7.5TQLI Distributor

IS61LF204836B-7.5TQLI Specifiche

ProduttoreISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie-
Tipo di memoriaVolatile
Formato memoriaSRAM
TecnologiaSRAM - Synchronous, SDR
Dimensione della memoria72Mb (2M x 36)
Interfaccia di memoriaParallel
Frequenza di clock117MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina-
Tempo di accesso7.5ns
Tensione - Alimentazione3.135V ~ 3.465V
Temperatura di esercizio-40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia100-LQFP
Pacchetto dispositivo fornitore100-LQFP (14x20)

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IDT, Integrated Device Technology

Produttore

IDT, Integrated Device Technology Inc

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

SRAM

Tecnologia

SRAM - Synchronous, SDR

Dimensione della memoria

9Mb (256K x 36)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

117MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

7.5ns

Tensione - Alimentazione

3.135V ~ 3.465V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 70°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

165-TBGA

Pacchetto dispositivo fornitore

165-CABGA (13x15)

IS46R16160D-5BLA1-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Produttore

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

DRAM

Tecnologia

SDRAM - DDR

Dimensione della memoria

256Mb (16M x 16)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

200MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

15ns

Tempo di accesso

700ps

Tensione - Alimentazione

2.3V ~ 2.7V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

60-TFBGA

Pacchetto dispositivo fornitore

60-TFBGA (8x13)

MT48LC64M8A2P-75:C TR

Alliance Memory, Inc.

Produttore

Alliance Memory, Inc.

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

DRAM

Tecnologia

SDRAM

Dimensione della memoria

512Mb (64M x 8)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

133MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

15ns

Tempo di accesso

5.4ns

Tensione - Alimentazione

3V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 70°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

54-TSOP II

MT29F1G16ABBDAH4-ITX:D

Micron Technology Inc.

Produttore

Micron Technology Inc.

Serie

-

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

FLASH

Tecnologia

FLASH - NAND

Dimensione della memoria

1Gb (64M x 16)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

1.7V ~ 1.95V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

63-VFBGA

Pacchetto dispositivo fornitore

63-VFBGA (9x11)

IS61WV12824-8BL-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Produttore

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

SRAM

Tecnologia

SRAM - Asynchronous

Dimensione della memoria

3Mb (128K x 24)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

8ns

Tempo di accesso

8ns

Tensione - Alimentazione

3.135V ~ 3.465V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 70°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

119-BBGA

Pacchetto dispositivo fornitore

119-PBGA (14x22)

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