IS61DDB21M18A-300M3L
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Numero parte | IS61DDB21M18A-300M3L |
PNEDA Part # | IS61DDB21M18A-300M3L |
Descrizione | IC SRAM 18M PARALLEL 165LFBGA |
Produttore | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc |
Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
Disponibile | 3.490 |
Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
Consegna stimata | nov 18 - nov 23 (Scegli Spedizione rapida) |
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IS61DDB21M18A-300M3L Risorse
Brand | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc |
ECAD Module | |
Mfr. Numero di parte | IS61DDB21M18A-300M3L |
Categoria | Semiconduttori › Circuiti integrati di memoria › Memoria |
Datasheet |
IS61DDB21M18A-300M3L, IS61DDB21M18A-300M3L Datasheet
(Totale pagine: 29, Dimensioni: 765,03 KB)
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IS61DDB21M18A-300M3L Specifiche
Produttore | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc |
Serie | - |
Tipo di memoria | Volatile |
Formato memoria | SRAM |
Tecnologia | SRAM - Synchronous, DDR II |
Dimensione della memoria | 18Mb (1M x 18) |
Interfaccia di memoria | Parallel |
Frequenza di clock | 300MHz |
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina | - |
Tempo di accesso | - |
Tensione - Alimentazione | 1.71V ~ 1.89V |
Temperatura di esercizio | 0°C ~ 70°C (TA) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / Custodia | 165-LBGA |
Pacchetto dispositivo fornitore | 165-LFBGA (13x15) |
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