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IS45S32400B-7BLA1

IS45S32400B-7BLA1

Solo per riferimento

Numero parte IS45S32400B-7BLA1
PNEDA Part # IS45S32400B-7BLA1
Descrizione IC DRAM 128M PARALLEL 90TFBGA
Produttore ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 6.552
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata apr 10 - apr 15 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

IS45S32400B-7BLA1 Risorse

Brand ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteIS45S32400B-7BLA1
CategoriaSemiconduttoriCircuiti integrati di memoriaMemoria
Datasheet
IS45S32400B-7BLA1, IS45S32400B-7BLA1 Datasheet (Totale pagine: 60, Dimensioni: 477,16 KB)
PDFIS45S32400B-6TLA1-TR Datasheet Copertura
IS45S32400B-6TLA1-TR Datasheet Pagina 2 IS45S32400B-6TLA1-TR Datasheet Pagina 3 IS45S32400B-6TLA1-TR Datasheet Pagina 4 IS45S32400B-6TLA1-TR Datasheet Pagina 5 IS45S32400B-6TLA1-TR Datasheet Pagina 6 IS45S32400B-6TLA1-TR Datasheet Pagina 7 IS45S32400B-6TLA1-TR Datasheet Pagina 8 IS45S32400B-6TLA1-TR Datasheet Pagina 9 IS45S32400B-6TLA1-TR Datasheet Pagina 10 IS45S32400B-6TLA1-TR Datasheet Pagina 11

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IS45S32400B-7BLA1 Specifiche

ProduttoreISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie-
Tipo di memoriaVolatile
Formato memoriaDRAM
TecnologiaSDRAM
Dimensione della memoria128Mb (4M x 32)
Interfaccia di memoriaParallel
Frequenza di clock143MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina-
Tempo di accesso5.4ns
Tensione - Alimentazione3V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio-40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia90-TFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore90-TFBGA (8x13)

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Rohm Semiconductor

Produttore

Rohm Semiconductor

Serie

-

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

EEPROM

Tecnologia

EEPROM

Dimensione della memoria

4Kb (256 x 16)

Interfaccia di memoria

SPI

Frequenza di clock

2MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

5ms

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

1.8V ~ 5.5V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

8-TSSOP

MT41K1G8SN-125 IT:A

Micron Technology Inc.

Produttore

Micron Technology Inc.

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

DRAM

Tecnologia

SDRAM - DDR3L

Dimensione della memoria

8Gb (1G x 8)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

800MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

13.75ns

Tensione - Alimentazione

1.283V ~ 1.45V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 95°C (TC)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

78-TFBGA

Pacchetto dispositivo fornitore

78-FBGA (9x13.2)

IS43DR16160B-3DBLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Produttore

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

DRAM

Tecnologia

SDRAM - DDR2

Dimensione della memoria

256Mb (16M x 16)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

333MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

15ns

Tempo di accesso

450ps

Tensione - Alimentazione

1.7V ~ 1.9V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

84-TFBGA

Pacchetto dispositivo fornitore

84-TWBGA (8x12.5)

EDB8132B4PB-8D-F-D

Micron Technology Inc.

Produttore

Micron Technology Inc.

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

DRAM

Tecnologia

SDRAM - Mobile LPDDR2

Dimensione della memoria

8Gb (256M x 32)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

400MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

1.14V ~ 1.95V

Temperatura di esercizio

-30°C ~ 85°C (TC)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

168-WFBGA

Pacchetto dispositivo fornitore

168-FBGA (12x12)

IS61LPS25636A-200TQLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Produttore

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

SRAM

Tecnologia

SRAM - Synchronous, SDR

Dimensione della memoria

9Mb (256K x 36)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

200MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

3.1ns

Tensione - Alimentazione

3.135V ~ 3.465V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

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