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IS42S16100C1-7TL-TR

IS42S16100C1-7TL-TR

Solo per riferimento

Numero parte IS42S16100C1-7TL-TR
PNEDA Part # IS42S16100C1-7TL-TR
Descrizione IC DRAM 16M PARALLEL 50TSOP II
Produttore ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 5.526
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata apr 1 - apr 6 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

IS42S16100C1-7TL-TR Risorse

Brand ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteIS42S16100C1-7TL-TR
CategoriaSemiconduttoriCircuiti integrati di memoriaMemoria
Datasheet
IS42S16100C1-7TL-TR, IS42S16100C1-7TL-TR Datasheet (Totale pagine: 81, Dimensioni: 977,62 KB)
PDFIS42S16100C1-7TLI-TR Datasheet Copertura
IS42S16100C1-7TLI-TR Datasheet Pagina 2 IS42S16100C1-7TLI-TR Datasheet Pagina 3 IS42S16100C1-7TLI-TR Datasheet Pagina 4 IS42S16100C1-7TLI-TR Datasheet Pagina 5 IS42S16100C1-7TLI-TR Datasheet Pagina 6 IS42S16100C1-7TLI-TR Datasheet Pagina 7 IS42S16100C1-7TLI-TR Datasheet Pagina 8 IS42S16100C1-7TLI-TR Datasheet Pagina 9 IS42S16100C1-7TLI-TR Datasheet Pagina 10 IS42S16100C1-7TLI-TR Datasheet Pagina 11

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IS42S16100C1-7TL-TR Specifiche

ProduttoreISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie-
Tipo di memoriaVolatile
Formato memoriaDRAM
TecnologiaSDRAM
Dimensione della memoria16Mb (1M x 16)
Interfaccia di memoriaParallel
Frequenza di clock143MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina-
Tempo di accesso5.5ns
Tensione - Alimentazione3V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio0°C ~ 70°C (TA)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia50-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore50-TSOP II

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IDT, Integrated Device Technology

Produttore

IDT, Integrated Device Technology Inc

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

SRAM

Tecnologia

SRAM - Dual Port, Asynchronous

Dimensione della memoria

512Kb (32K x 16)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

35ns

Tempo di accesso

35ns

Tensione - Alimentazione

4.5V ~ 5.5V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 70°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

100-LQFP

Pacchetto dispositivo fornitore

100-TQFP (14x14)

SST39SF010A-55-4I-WHE-T

Microchip Technology

Produttore

Microchip Technology

Serie

SST39 MPF™

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

FLASH

Tecnologia

FLASH

Dimensione della memoria

1Mb (128K x 8)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

20µs

Tempo di accesso

55ns

Tensione - Alimentazione

4.5V ~ 5.5V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

32-TFSOP (0.488", 12.40mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

32-TSOP

IS42S16800E-6TLI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Produttore

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

DRAM

Tecnologia

SDRAM

Dimensione della memoria

128Mb (8M x 16)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

166MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

5.4ns

Tensione - Alimentazione

3V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

54-TSOP II

S25FL064P0XMFI000S

Cypress Semiconductor

Produttore

Cypress Semiconductor Corp

Serie

FL-P

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

FLASH

Tecnologia

FLASH - NOR

Dimensione della memoria

64Mb (8M x 8)

Interfaccia di memoria

SPI - Quad I/O

Frequenza di clock

104MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

5µs, 3ms

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

2.7V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

16-SOIC (0.295", 7.50mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

16-SOIC

CY7C1245KV18-400BZXC

Cypress Semiconductor

Produttore

Cypress Semiconductor Corp

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

SRAM

Tecnologia

SRAM - Synchronous, QDR II+

Dimensione della memoria

36Mb (1M x 36)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

400MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

1.7V ~ 1.9V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 70°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

165-LBGA

Pacchetto dispositivo fornitore

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