IS29GL512S-11DHV023
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| Numero parte | IS29GL512S-11DHV023 |
| PNEDA Part # | IS29GL512S-11DHV023 |
| Descrizione | IC FLASH 512M PARALLEL |
| Produttore | Cypress Semiconductor |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 7.128 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | apr 21 - apr 26 (Scegli Spedizione rapida) |
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IS29GL512S-11DHV023 Risorse
| Brand | Cypress Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | IS29GL512S-11DHV023 |
| Categoria | Semiconduttori › Circuiti integrati di memoria › Memoria |
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IS29GL512S-11DHV023 Specifiche
| Produttore | Cypress Semiconductor Corp |
| Serie | GL-S |
| Tipo di memoria | Non-Volatile |
| Formato memoria | FLASH |
| Tecnologia | FLASH - NOR |
| Dimensione della memoria | 512Mb (64M x 8) |
| Interfaccia di memoria | Parallel |
| Frequenza di clock | - |
| Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina | 60ns |
| Tempo di accesso | 110ns |
| Tensione - Alimentazione | 2.7V ~ 3.6V |
| Temperatura di esercizio | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / Custodia | 64-LBGA |
| Pacchetto dispositivo fornitore | 64-FBGA (9x9) |
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Produttore Cypress Semiconductor Corp Serie - Tipo di memoria - Formato memoria - Tecnologia - Dimensione della memoria - Interfaccia di memoria - Frequenza di clock - Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina - Tempo di accesso - Tensione - Alimentazione - Temperatura di esercizio - Tipo di montaggio - Pacchetto / Custodia - Pacchetto dispositivo fornitore - |
Produttore Cypress Semiconductor Corp Serie - Tipo di memoria Volatile Formato memoria SRAM Tecnologia SRAM - Dual Port, Asynchronous Dimensione della memoria 8Kb (1K x 8) Interfaccia di memoria Parallel Frequenza di clock - Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina 55ns Tempo di accesso 55ns Tensione - Alimentazione 4.5V ~ 5.5V Temperatura di esercizio 0°C ~ 70°C (TA) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 52-QFP Pacchetto dispositivo fornitore 52-PQFP (10x10) |
Produttore Cypress Semiconductor Corp Serie - Tipo di memoria Non-Volatile Formato memoria NVSRAM Tecnologia NVSRAM (Non-Volatile SRAM) Dimensione della memoria 256Kb (32K x 8) Interfaccia di memoria Parallel Frequenza di clock - Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina 35ns Tempo di accesso 35ns Tensione - Alimentazione 2.7V ~ 3.6V Temperatura di esercizio -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 32-SOIC (0.295", 7.50mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore 32-SOIC |
Produttore Microchip Technology Serie - Tipo di memoria Non-Volatile Formato memoria EEPROM Tecnologia EEPROM Dimensione della memoria 32Kb (4K x 8) Interfaccia di memoria SPI Frequenza di clock 1MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina 5ms Tempo di accesso - Tensione - Alimentazione 1.8V ~ 5.5V Temperatura di esercizio -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto / Custodia 8-DIP (0.300", 7.62mm) Pacchetto dispositivo fornitore 8-PDIP |
Produttore Microchip Technology Serie - Tipo di memoria Non-Volatile Formato memoria FLASH Tecnologia FLASH Dimensione della memoria 4Mb (264 Bytes x 2048 pages) Interfaccia di memoria SPI Frequenza di clock 10MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina 10ms Tempo di accesso - Tensione - Alimentazione 2.5V ~ 3V Temperatura di esercizio 0°C ~ 70°C (TC) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 28-TSSOP (0.465", 11.80mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore 28-TSOP |
