IRLMS6702TR
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| Numero parte | IRLMS6702TR |
| PNEDA Part # | IRLMS6702TR |
| Descrizione | MOSFET P-CH 20V 2.4A 6-TSOP |
| Produttore | Infineon Technologies |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 7.560 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | gen 12 - gen 17 (Scegli Spedizione rapida) |
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IRLMS6702TR Risorse
| Brand | Infineon Technologies |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | IRLMS6702TR |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Singolo |
| Datasheet |
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IRLMS6702TR Specifiche
| Produttore | Infineon Technologies |
| Serie | HEXFET® |
| Tipo FET | P-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Tensione Drain to Source (Vdss) | 20V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 2.4A (Ta) |
| Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) | 2.7V, 4.5V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 200mOhm @ 1.6A, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 700mV @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 8.8nC @ 4.5V |
| Vgs (massimo) | ±12V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 210pF @ 15V |
| Funzione FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 1.7W (Ta) |
| Temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | Micro6™(SOT23-6) |
| Pacchetto / Custodia | SOT-23-6 |
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