IRLML2502GTRPBF
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| Numero parte | IRLML2502GTRPBF |
| PNEDA Part # | IRLML2502GTRPBF |
| Descrizione | MOSFET N-CH 20V 4.2A SOT-23-3 |
| Produttore | Infineon Technologies |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 7.398 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | dic 26 - dic 31 (Scegli Spedizione rapida) |
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IRLML2502GTRPBF Risorse
| Brand | Infineon Technologies |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | IRLML2502GTRPBF |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Singolo |
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IRLML2502GTRPBF Specifiche
| Produttore | Infineon Technologies |
| Serie | HEXFET® |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Tensione Drain to Source (Vdss) | 20V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 4.2A (Ta) |
| Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 4.5V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 45mOhm @ 4.2A, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1.2V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 12nC @ 5V |
| Vgs (massimo) | ±12V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 740pF @ 15V |
| Funzione FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 1.25W (Ta) |
| Temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | Micro3™/SOT-23 |
| Pacchetto / Custodia | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
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