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IRLIZ34G

IRLIZ34G

Solo per riferimento

Numero parte IRLIZ34G
PNEDA Part # IRLIZ34G
Descrizione MOSFET N-CH 60V 20A TO220FP
Produttore Vishay Siliconix
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 4.212
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata apr 20 - apr 25 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

IRLIZ34G Risorse

Brand Vishay Siliconix
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteIRLIZ34G
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Singolo
Datasheet
IRLIZ34G, IRLIZ34G Datasheet (Totale pagine: 8, Dimensioni: 1.642,7 KB)
PDFIRLIZ34G Datasheet Copertura
IRLIZ34G Datasheet Pagina 2 IRLIZ34G Datasheet Pagina 3 IRLIZ34G Datasheet Pagina 4 IRLIZ34G Datasheet Pagina 5 IRLIZ34G Datasheet Pagina 6 IRLIZ34G Datasheet Pagina 7 IRLIZ34G Datasheet Pagina 8

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IRLIZ34G Specifiche

ProduttoreVishay Siliconix
Serie-
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Tensione Drain to Source (Vdss)60V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C20A (Tc)
Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)4V, 5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs50mOhm @ 12A, 5V
Vgs (th) (Max) @ Id2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs35nC @ 5V
Vgs (massimo)±10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds1600pF @ 25V
Funzione FET-
Dissipazione di potenza (max)42W (Tc)
Temperatura di esercizio-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggioThrough Hole
Pacchetto dispositivo fornitoreTO-220-3
Pacchetto / CustodiaTO-220-3 Full Pack, Isolated Tab

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Produttore

IXYS

Serie

PolarP™

Tipo FET

P-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

500V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

40A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

230mOhm @ 20A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

205nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

11500pF @ 25V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

890W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto dispositivo fornitore

PLUS247™-3

Pacchetto / Custodia

TO-247-3

SIB457EDK-T1-GE3

Vishay Siliconix

Produttore

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET®

Tipo FET

P-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

20V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

9A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

35mOhm @ 4.8A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

44nC @ 8V

Vgs (massimo)

±8V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

-

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

2.4W (Ta), 13W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

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Pacchetto / Custodia

PowerPAK® SC-75-6L

RHU002N06FRAT106

Rohm Semiconductor

Produttore

Rohm Semiconductor

Serie

-

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

60V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

200mA (Ta)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

4V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

2.4Ohm @ 200mA, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

4.4nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

15pF @ 10V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

200mW (Ta)

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

UMT3

Pacchetto / Custodia

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NTMS4101PR2

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo FET

P-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

20V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

6.9A (Ta)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

2.5V, 4.5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

19mOhm @ 6.9A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

450mV @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

32nC @ 4.5V

Vgs (massimo)

±8V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

3200pF @ 10V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

1.38W (Tj)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

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Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

30A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

8.2mOhm @ 30A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 85µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

47nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

2170pF @ 25V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

125W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

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