IRLB3813PBF
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Numero parte | IRLB3813PBF |
PNEDA Part # | IRLB3813PBF |
Descrizione | MOSFET N-CH 30V 260A TO-220AB |
Produttore | Infineon Technologies |
Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
Disponibile | 27.492 |
Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
Consegna stimata | dic 27 - gen 1 (Scegli Spedizione rapida) |
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IRLB3813PBF Risorse
Brand | Infineon Technologies |
ECAD Module | |
Mfr. Numero di parte | IRLB3813PBF |
Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Singolo |
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IRLB3813PBF Specifiche
Produttore | Infineon Technologies |
Serie | HEXFET® |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Tensione Drain to Source (Vdss) | 30V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 260A (Tc) |
Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.95mOhm @ 60A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.35V @ 150µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 86nC @ 4.5V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 8420pF @ 15V |
Funzione FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 230W (Tc) |
Temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-220AB |
Pacchetto / Custodia | TO-220-3 |
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