IRL80HS120
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| Numero parte | IRL80HS120 |
| PNEDA Part # | IRL80HS120 |
| Descrizione | MOSFET N-CH 80V 12.5A 6PQFN |
| Produttore | Infineon Technologies |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 34.614 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | dic 2 - dic 7 (Scegli Spedizione rapida) |
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IRL80HS120 Risorse
| Brand | Infineon Technologies |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | IRL80HS120 |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Singolo |
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IRL80HS120 Specifiche
| Produttore | Infineon Technologies |
| Serie | - |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Tensione Drain to Source (Vdss) | 80V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 12.5A (Tc) |
| Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 32mOhm @ 7.5A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 10µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 7nC @ 4.5V |
| Vgs (massimo) | ±20V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 540pF @ 25V |
| Funzione FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 11.5W (Tc) |
| Temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | 6-PQFN (2x2) |
| Pacchetto / Custodia | 6-VDFN Exposed Pad |
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