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IRL6297SDTRPBF

IRL6297SDTRPBF

Solo per riferimento

Numero parte IRL6297SDTRPBF
PNEDA Part # IRL6297SDTRPBF
Descrizione MOSFET 2N-CH 20V 15A DIRECTFET
Produttore Infineon Technologies
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 4.788
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata nov 26 - dic 1 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

IRL6297SDTRPBF Risorse

Brand Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteIRL6297SDTRPBF
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Array

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IRL6297SDTRPBF Specifiche

ProduttoreInfineon Technologies
SerieHEXFET®
Tipo FET2 N-Channel (Dual)
Funzione FETLogic Level Gate
Tensione Drain to Source (Vdss)20V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C15A
Rds On (Max) @ Id, Vgs4.9mOhm @ 15A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id1.1V @ 35µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs54nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds2245pF @ 10V
Potenza - Max1.7W
Temperatura di esercizio-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / CustodiaDirectFET™ Isometric SA
Pacchetto dispositivo fornitoreDIRECTFET™ SA

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Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo FET

-

Funzione FET

-

Tensione Drain to Source (Vdss)

-

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

-

Rds On (Max) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (Max) @ Id

-

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

-

Potenza - Max

-

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

-

Pacchetto / Custodia

-

Pacchetto dispositivo fornitore

-

APTSM120AM08CT6AG

Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

-

Tipo FET

2 N-Channel (Dual), Schottky

Funzione FET

Silicon Carbide (SiC)

Tensione Drain to Source (Vdss)

1200V (1.2kV)

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

370A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

10mOhm @ 200A, 20V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 10mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

1360nC @ 20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

-

Potenza - Max

2300W

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

SP6

Pacchetto dispositivo fornitore

SP6

STL7DN6LF3

STMicroelectronics

Produttore

STMicroelectronics

Serie

Automotive, AEC-Q101, STripFET™ III

Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

60V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

20A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

43mOhm @ 3A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

8.8nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

432pF @ 25V

Potenza - Max

52W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-PowerVDFN

Pacchetto dispositivo fornitore

PowerFlat™ (5x6)

BUK7K29-100EX

Nexperia

Produttore

Nexperia USA Inc.

Serie

-

Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Standard

Tensione Drain to Source (Vdss)

100V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

29.5A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

24.5mOhm @ 10A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

38.1nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

2436pF @ 25V

Potenza - Max

68W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

SOT-1205, 8-LFPAK56

Pacchetto dispositivo fornitore

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ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo FET

N-Channel

Funzione FET

-

Tensione Drain to Source (Vdss)

40V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

19A (Ta), 74A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

4.8mOhm @ 35A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2V @ 40µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

11nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1300pF @ 25V

Potenza - Max

3.1W (Ta), 50W (Tc)

Temperatura di esercizio

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