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IRG8P40N120KD-EPBF

IRG8P40N120KD-EPBF

Solo per riferimento

Numero parte IRG8P40N120KD-EPBF
PNEDA Part # IRG8P40N120KD-EPBF
Descrizione IGBT 1200V 60A 305W TO-247AD
Produttore Infineon Technologies
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 7.200
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata apr 27 - mag 2 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

IRG8P40N120KD-EPBF Risorse

Brand Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteIRG8P40N120KD-EPBF
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - IGBT - Singolo
Datasheet
IRG8P40N120KD-EPBF, IRG8P40N120KD-EPBF Datasheet (Totale pagine: 11, Dimensioni: 542,02 KB)
PDFIRG8P40N120KD-EPBF Datasheet Copertura
IRG8P40N120KD-EPBF Datasheet Pagina 2 IRG8P40N120KD-EPBF Datasheet Pagina 3 IRG8P40N120KD-EPBF Datasheet Pagina 4 IRG8P40N120KD-EPBF Datasheet Pagina 5 IRG8P40N120KD-EPBF Datasheet Pagina 6 IRG8P40N120KD-EPBF Datasheet Pagina 7 IRG8P40N120KD-EPBF Datasheet Pagina 8 IRG8P40N120KD-EPBF Datasheet Pagina 9 IRG8P40N120KD-EPBF Datasheet Pagina 10 IRG8P40N120KD-EPBF Datasheet Pagina 11

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IRG8P40N120KD-EPBF Specifiche

ProduttoreInfineon Technologies
Serie-
Tipo IGBT-
Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)1200V
Corrente - Collettore (Ic) (Max)60A
Corrente - Collettore Pulsato (Icm)75A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic2V @ 15V, 25A
Potenza - Max305W
Switching Energy1.6mJ (on), 1.8mJ (off)
Tipo di ingressoStandard
Gate Charge240nC
Td (acceso / spento) @ 25 ° C40ns/245ns
Condizione di test600V, 25A, 10Ohm, 15V
Tempo di recupero inverso (trr)80ns
Temperatura di esercizio-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioThrough Hole
Pacchetto / CustodiaTO-247-3
Pacchetto dispositivo fornitoreTO-247AD

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Produttore

IXYS

Serie

GenX3™

Tipo IGBT

PT

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

600V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

75A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

360A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.5V @ 15V, 50A

Potenza - Max

540W

Switching Energy

1.03mJ (on), 480µJ (off)

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

174nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

27ns/77ns

Condizione di test

480V, 50A, 2Ohm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr)

140ns

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-247-3

Pacchetto dispositivo fornitore

PLUS247™-3

NGTB40N120FLWG

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo IGBT

Trench Field Stop

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

1200V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

80A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

160A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.2V @ 15V, 40A

Potenza - Max

260W

Switching Energy

2.6mJ (on), 1.6mJ (off)

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

415nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

130ns/385ns

Condizione di test

600V, 40A, 10Ohm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr)

200ns

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-247-3

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-247

IRG4PC40UPBF

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

-

Tipo IGBT

-

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

600V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

40A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

160A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 20A

Potenza - Max

160W

Switching Energy

320µJ (on), 350µJ (off)

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

100nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

34ns/110ns

Condizione di test

480V, 20A, 10Ohm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-247-3

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-247AC

FGA15N120FTDTU

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo IGBT

Trench Field Stop

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

1200V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

30A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

45A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2V @ 15V, 15A

Potenza - Max

220W

Switching Energy

-

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

100nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

-

Condizione di test

-

Tempo di recupero inverso (trr)

575ns

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-3P-3, SC-65-3

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-3P

HGTP7N60B3D

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo IGBT

-

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

600V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

14A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

56A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 7A

Potenza - Max

60W

Switching Energy

160µJ (on), 120µJ (off)

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

23nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

26ns/130ns

Condizione di test

480V, 7A, 50Ohm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr)

37ns

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-220-3

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-220-3

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